Double Data Rate (DDR) 同步动态随机存取内存是用于计算机的内存等级。 Diodes 可为高可用性通讯与网络设备(包括服务器、RAID 储存装置、工作站与删除重复数据设备)以及医疗装置与其他嵌入式系统的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供石英晶振及切换组件。另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室。
百利通亚陶晶振产品聚焦于高成长终端用户设备市场,例如电视/卫星机顶盒、可携式 DVD 播放器、数据通讯设备、ADSL 调制解调器、电源供应器、医疗装置 (非维生装置/系统)、个人计算机与笔记本电脑、平面显示器、数字相机、手机、AC-DC 与 DC-DC 转换器、无线 802.11 LAN 存取点、无刷直流马达风扇、序列连接及汽车应用。FX0800015晶振,8M金属壳无源晶体,FX晶振
百利通亚陶晶振,石英晶振,FX晶振.6035mm石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
百利通亚陶贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶体谐振器晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。
亚陶晶振 |
单位 |
FX晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
6.000MHz~125.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
100μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10× 10-6(标准), |
+25°C对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30/±50× 10-6/-40°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF~32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C,DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果6035石英晶振产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。FX0800015晶振,8M金属壳无源晶体,FX晶振
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致无源贴片谐振器所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。百利通亚陶晶振,石英晶振,FX晶振
静电
过高的静电可能会损坏四脚贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
输出波形与测试电路
1.时序表
2.测试条件
(1)电源电压
超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。FX0800015晶振,8M金属壳无源晶体,FX晶振
(2)其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。
(3)其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽,以观察波形。
(请勿使用该探头的长接地线。)百利通亚陶晶振,石英晶振,FX晶振
3.测试电路