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百利通亚陶晶振,贴片晶振,FHQ晶振

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产品简介

超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

产品详情

BLT-2

百利通亚陶晶振公司生产设施已达到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 认证的品质奖。Diodes 公司目前拥有 C-TPAT 认证。上述质量奖反映 Diodes 公司优异的品管技术,并进一步提升我们在重视质量与一致性的 OEM 业者心目中最佳厂商的地位。另外在多个据点设有工程、销售、仓储及物流办公室,包括台北、香港、曼彻斯特、中国上海、深圳、南韩城南市以及德国慕尼黑,并于世界各地设有支持办公室。
百利通亚陶晶振减少污染物排放,对不可再生的资源进行有效利用.减少废物的产生,对其排放的责任进行有效管理,有效地使用能源.通过石英晶振,贴片晶振,温补晶振,石英晶体振荡器设计工艺程序对员工进行培训保护环境以及人们的健康和安全.提供安全使用和废置我们的产品的信息,对环境有重大健康安全和环境的运营现状进行纠正.

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BLT-1

百利通亚陶晶振,贴片晶振,FHQ晶振.2520mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
百利通亚陶晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。JLX-2

RB-2

亚陶晶振

单位

FHQ晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

12.000MHz~66.000MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C~+85°C

标准温度

激励功率

DL

100μW Max.

推荐:10μW~100μW

频率公差

f_— l

±10× 10-6(标准),
(±10× 10-6~
±50 × 10-6可用)

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn

频率温度特征

f_tem

±30~±50× 10-6/-40°C~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

7pF~32pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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FHQ 2520

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自动安装时的冲击
自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些进口晶体振荡器。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对产品特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振未撞击机器或其他电路板等。
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装产品与SON产品
在焊接陶瓷晶振产品和SON产品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
陶瓷包装产品
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷谐振器产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(2)陶瓷封装产品
在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接压电陶瓷谐振器产品时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式产品
产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当石英水晶振动子产品的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。

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RB-5

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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