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鸿星晶振,5032晶振,E5SB晶振

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产品简介

5032mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.

产品详情

HX-2

鸿星的核心精神:诚信负责、团队合作、专业创新、积极成长。HOSONIC以先进技术、优异质量、完善服务,成为晶体产业最具竞争优势的品牌。Hosonic现在是一个领先的专业晶体谐振器、晶体振荡器制造商在世界上,致力于直插和贴片式石英振荡器的研发、生产和销售。公司致力于提供最好的质量、服务和价值的客户应对不断变化的技术和环境的挑战。Hosonic专注于自己的核心技术和鼓励员工的创造力,创新和团队合作。
鸿星格林雷晶振集团广泛用于通信行业的需求,包括为电信、无线和SATCOM以及WiMAX等新兴技术而设计的产品,包括用于电信的Stratum III和IIIE.此外,我们还为全球导航卫星系统(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶体振荡器,温补晶振等.所生产的高精密晶体谐振器、普通晶体振荡器(SPXO)、低噪音压控晶体振荡器(VCXO)、低振动温补晶体振荡器(TCXO)、高稳定恒温晶体振荡器(OCXO)广泛用于一些检测仪器,高端设备仪器,高精密设备等产品中.

JLX-1

HX-1

鸿星晶振,5032晶振,E5SB晶振.5.0*3.2mm小型四脚SMD晶体焊接可采用自动贴片系统,产品本身小型,表面贴片晶振,特别适用于有小型化要求的电子数码产品市场领域,因产品小型,薄型优势,耐环境特性,包括耐高温,耐冲击性等,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
鸿星石英晶振离子刻蚀调频技术:比目前一般使用的真空蒸镀方式调频,主要在产品参数有以下提升:1.微调后调整频率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.产品的激励功率相关性参数有大幅提升;3.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内.

JLX-2

RB-2

鸿星晶振

单位

E5SB晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

8.000MHZ~80.000MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-30°C~+85°C

标准温度

激励功率

DL

100μW Max.

推荐:1μW100μW

频率公差

f_— l

±10 × 10-6(标准),
(±10 × 10-6~
±50 × 10-6可用)

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-30°C~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

10PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

频率老化

f_age

±2× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

E5SB(Former HCX-5SB) 5032

JLX-4

RB-4

抗冲击
5032贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。鸿星晶振,5032晶振,E5SB晶振
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解SMD晶体或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏无源晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

JLX-5

RB-5

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明5032四脚晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振荡补偿
除非在小体积无源贴片晶体振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

sjzrhl_2

3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致鸿星压电晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。鸿星晶振,5032晶振,E5SB晶振

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频率和负载电容特征图器

sjzrhl_4

振荡回路参数设置参考

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