Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振，Transko晶振集团是一家位于加利福尼亚州阿纳海姆的通过ISO 9001认证的变频控制设备解决方案供应商,专业生产石英晶振,贴片晶振,有源晶振,压控晶振,滤波器等频率元件.通过质量和经验，自1992年以来，其他许多其他产品我们得到了援助.
Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振，让我们与众不同的是Transko Advantage –具有快速交付能力。能够在72小时内提供产品，高度积极的销售人员为您的频率控制要求提供优异的定价和解决方案。通过结合杰出员工的知识和广泛背景，能够解决和定制您的特定项目或设计需求。Transko晶振公司团队导向的环境和高效的生产人员不断让我们的客户满意，并使我们能够提供最好的支持。
贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体振荡器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.
Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振，贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使SMD晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Units | Conditions |
| Mode of Oscillation | Fundamental (XT cut) | |||||
| Frequency Range | F O | 0.032768 | MHz | |||
| Frequency Tolerance | F/F | -20 | 20 | ppm | @ +25 °C | |
| Frequency Stability | DF/F | Parabolic Curve | Ref to +25 °C | |||
| Turnover Temperature | T T | +20 | +25 | +30 | °C | |
| Parabolic Curve Const. | B | -0.028 | -0.0354 | -0.040 | ppm/°C 2 | |
| Operating Temperature | T A | -40 | 85 | °C | ||
| Aging | -3 | 3 | ppm/year | @ +25 °C | ||
| Load Capacitance | C L | See ordering information(standard is 12.5 pF) | pF | |||
| ESR | R s | 70 | kΩ | standard @ +25 °C | ||
| 50 | kΩ | “L” option @ +25 °C | ||||
| Shunt Capacitance | C O | 0.95 | pF | standard @ +25 °C | ||
| 1.3 | pF | “L” option @ +25 °C | ||||
| Drive Level | D L | 1 | µW | standard | ||
| 0.5 | µW | “L” option | ||||
抗冲击
晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害，因此应避免照射。
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD无源晶振所用的封装材料，终端，组件，玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 （比如，氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”，从而破坏密封质量，降低性能。）
卤化合物，Transko晶振,CS2012晶振,CS2012-A-32.768K-9-TR晶振.
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体，比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内，都可能产生腐蚀。同时，请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏石英晶体谐振器，请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候，请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路，并进行接地操作。
