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微晶晶振,贴片晶振,CM7V-T1A晶振,陶瓷3215晶振

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产品简介

超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求。

产品详情

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微晶,1978年成立于瑞士格伦兴,为Swatch Group的供货商,提供手表音叉式晶体的产品。 微晶已经发展成为一家在微型音叉晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、晶振和OCXO等多个领域的领导供货商,为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持,服务范围涵盖手机、计算机、汽车电子、手表、工业控制、植入式医疗及其他高可靠性产品。

微晶玻璃(MC)的管理、环境与社会责任原则执行(MES)大纲标准,以确保MC设备的工作条件,以及供应链合作伙伴的活动支持MC的要求,是安全的,工人是尊重和尊严对待,以及制造过程使用MC和它的作伙伴对环境负责。微晶石英晶振的管理团队以及领导的工作人员。职位提供了一个积极的例子,在所有领域的质量行为。公司。他们激励员工始终如一地思考问题。质量与成本。此外,参与者应持有其实践对最初的MES审计和随后的MES监督审核开放。要使这些原则获得成功,与会者应视为原则。全面供应链计划。至少,参加者应鼓励他们的下一层。JLX-1

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微晶晶振,贴片晶振,CC7V-T1A晶振,欧美贴片晶振,此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能。
石英贴片晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。

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RB-2

微晶晶振

单位

CC7V-T1A晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHz

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C~+85°C

标准温度

激励功率

DL

0.5μW Max.

推荐:0.5μW

频率公差

f_— l

±20、±100× 10-6(标准)

+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±100 × 10-6/-40°C~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

6,7,9,12.5PF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL=0.5μW

频率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

CC7V-T1A 3215

JLX-4

RB-4

所有产品的共同点:1:抗冲击:抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2:辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3:化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶体谐振器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。微晶晶振,贴片晶振,CC7V-T1A晶振,欧美贴片晶振
4:粘合剂:请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。) 5:卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6:静电:过高的静电可能会损坏SMD晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。JLX-5

RB-5

负载电容:如果3215晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。微晶晶振,贴片晶振,CC7V-T1A晶振,欧美贴片晶振

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测试条件:

(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。

电源电压阻抗低于电阻(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过3215贴片晶振振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线。)

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