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KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振

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产品简介

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

产品详情

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当你正在为晶振品牌而偏头痛时,然而金洛电子作为日本大真空株式会社,(KDS)品牌的正规代理商,在此告诉你,选择KDS晶振的品牌是你放心的决策.KDS晶振所有的产品均符合欧盟环保标准,KDS内部采用严格的管理制度,以地球环保为理念,所有生产的石英晶振产品都是以尽可能的减少对地球的污染,所以KDS产品都是无铅环保化.KDS还拥有遍布全球的销售网络,另外在大陆地区有极少数的代理商.深圳市金洛电子有限公司是其较早的代理,该司在上海、深圳、苏州和香港以及美国等地设有办事机构,能快速准确的为客户提供高品质的KDS产品以及优质的服务,在行业内有一定的知名度.
请选择正规【KDS晶振代理商金洛电子】产品特点贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
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KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。
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KDS晶振

符号

AT-38晶振

基本信息对照表

Crystal标准频率

f_nom

3.579~28MHz


储存温度

T_stg

-30°C ~+80°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C ~+85°C

KDS晶振特定的温度

激励功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激励功率为1.0μW需求,请联系我们金洛电子

精度

f_— l

±30,±50,±100ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐点温度

Ti

+25°C ±5°C



负载电容

CL

8pF,10pF,12pF,16pF

可按客户需求指定

串联电阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ —45kΩ

频率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。晶振的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是圆柱石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)线路连接的电阻(R)与晶体串联

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(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过石英圆柱插件晶振低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。采用具有较低电阻(RR)的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。JLX-5

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此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出圆柱晶振测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振

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振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在音叉型石英晶体谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,插件MHZ晶体频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。

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负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致MHZ圆柱晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。

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