IDT晶振,差分输出晶振,8N4S270晶振

IDT以其智能传感器和行业领先的时间组合来处理汽车应用。IDT在德国的全资子公司- IDT欧洲有限公司(前身为ZMD AG)运营其卓越的汽车中心。IDT是为4G、5G和云计算等无线基础设施应用而设计的高性能的领先创新者。解决方案包括行业领先的射频信号链产品,串行RapidIO®,和先进的时机。
IDT积极提高贴片晶振产品和包装，以产生最快、最可靠的设备。然而，由于产品性能往往受到其实现的影响，因此建议仔细考虑影响设备运行温度的因素，以达到最好的效果。IDT的集成电路用于世界各地的通信、计算和消费行业。IDT总部位于加州圣何塞市，在世界各地都设有设计、运营和销售设施。

IDT晶振,差分输出晶振,8N4S270晶振.是具有非常灵活的频率编程功能的出厂频率可编程晶体振荡器。该器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技术，以实现高时钟频率和低相位噪声性能。该器件采用2.5V或3.3V电源供电，采用小型，无铅（RoHS 6）6引脚陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封装封装。
该器件可以在工厂编程为15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz的范围内，并且支持非常高的218Hz或更高的频率精度。扩展的温度范围支持无线基础设施，电信和网络终端设备要求。

操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 （请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。

频率和负载电容特征图器

振荡回路参数设置参考