XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振

当前位置：首页 » 贴片晶振 » QuartzCom晶振 » XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振

prevnext

XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振

频率：100MHz

尺寸：3.2x 2.5mm

XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振,QuartzCom晶振,XO32P有源晶振,XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz晶振,CMOS贴片振荡器,微型3225晶振,频率100MHz,电压3.3V,工作温度-40~105°C,频率稳定性25ppm,耐高温晶振,高可靠性晶振,低老化晶振,6G路由器晶振,无线网络晶振,测试与测量设备晶振,服务器和存储系统晶振,工业设备晶振.

订购热线：0755-27837162

XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振,QuartzCom晶振,XO32P有源晶振,XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz晶振,CMOS晶体振荡器,微型3225晶振,频率100MHz,电压3.3V,工作温度-40~105°C,频率稳定性25ppm,耐高温晶振,高可靠性晶振,低老化晶振,6G路由器晶振,无线网络晶振,测试与测量设备晶振,服务器和存储系统晶振,工业设备晶振.

XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振特点：

●微型尺寸：3.2 x 2.5 mm

●高可靠性

●低抖动CMOS晶体振荡器

高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振

XO32P-H33-NR1u25-100.000MHz|6G路由器晶振|高可靠性晶振参数表

项目	规格参数	说明
频率	100MHz
频率稳定性	±25ppm
老化	< ±3ppm	1st year
频率容差ex.工厂	≤ ±1.0 ppm	@ +25 °C
电源电压	+3.3V
电源电流	< 30 mA	负载电容15 pF
输出信号	CMOS	VOH > 0.9∗Vcc / VOL < 0.1∗Vcc
占空比	45 ~ 55 %
输出负载	15 pF
上升/下降时间	< 3 ns
启动时间	< 8 ms
均方根相位抖动	< 1.0 ps	2.5 V and 3.3 V
工作温度	-40~+105°C
储存温度	-55℃~+125℃
符合IPC/JEDEC J-STD-020C的回流曲线	≤ 260 °C over 10 sec. Max