泰艺晶振,贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
频率:26~32MHZ
尺寸:2.05*1.65*0.45mm
泰艺电子立基台湾,在美国与中国大陆均设有生产据点,营业与销售据点包括台湾台北、美国、欧洲以及中国大陆等地,客户使用石英水晶振荡子,有源晶振,压控振荡器,贴片晶振遍及汽车产业、消费性电子、信息产业、通信产业与通信基础产业.泰艺电子多年来致力于研发创新,部分核心技术是台湾业界的领先者,近年来陆续取得石英相关制造技术专利;未来将持续加强开发,以成为全球石英晶振频控元件领导者之目标迈进.泰艺石英晶振公司以严谨的质量管制系统获得客户对产品的信赖度,健全的供应链管理掌握原材物料的来源,满足客户对石英频率元件的需求.高性能石英晶体谐振器,2016石英贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
台湾泰艺电子成立于民国89年3月,前身为泰电电业股份有限公司电子部(民国65年设立),是一家专业晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器频率控制元件制造商.主要产品包括『石英振荡子』、『石英晶体振荡器』、『压控石英振荡器』、『温度补偿石英振荡器』,并且是台湾唯一拥有生产『恒温控制石英振荡器』技术的制造商,完整的产品线提供一次性购足的服务.
泰艺晶振,贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴。石英晶振产品电极的设计:石英贴片晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率;2.往外界引出电极;3.改变电阻;4.抑制杂波。第1、2、3项相对简单,第4项的设计很关键,电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化。特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大,故对电极的设计提出了更精准的要求。高性能石英晶体谐振器,2016石英贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
泰艺晶振规格 |
单位 |
XZ晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
26.000MHz~32.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:1μW~300μW |
频率公差 |
f_— l |
±5,±10,±15×10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±5~±50×10-6/-40°C ~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
3.0PF |
超出标准说明,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 300μW |
频率老化 |
f_age |
±3×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有产品的共同点:1:抗冲击 抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2:辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3:化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。 泰艺晶振,贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
4:粘合剂请勿使用可能导致石英晶体谐振器所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)5:卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6:静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
晶振产品使用每种产品时,请在无源石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 高性能石英晶体谐振器,2016石英贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
驱动能力:驱动能力2016石英晶体谐振器说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。泰艺晶振,贴片晶振,XZAEECNANF-26.000000晶振
2016谐振器测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他:? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3) 其他:? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线。)
1.振荡电路:晶体谐振器是进口品牌晶体谐振器,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值:2016mm贴片晶振在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
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