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泰艺晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

频率:12.000MHz

尺寸:3.2*2.5*0.65mm

超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性.
订购热线:0755-27837162
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台湾泰艺电子成立于民国89年3月,前身为泰电电业股份有限公司电子部(民国65年设立),是一家专业晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振频率控制元件制造商.部分核心技术是台湾业界的领先者,近年来陆续取得石英相关制造技术专利;未来将持续加强开发,以成为全球石英晶振频控元件领导者之目标迈进.
为追求生产绿色产品之目标,将环保理念纳入采购流程中,采购人员于收集市场资讯时,优先提供符合「泰艺电子无有害物质管理作业标准」之材料相关资讯予产品设计人员参考,并依其要求提供符合规范之样品与规格.原材物料承认时,采购人员须请供应商填写公司提供之问卷表单及相关RoHS检测报告,经原材物料相关审验单位审查通过后,方可使用.12M台湾进口晶体,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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泰艺晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振.3225mm体积的金属面四脚SMD晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性.
泰艺贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

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RB-2

泰艺晶振规格

单位

XX晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

12.000MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C ~+125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C ~+85°C

标准温度

激励功率

DL

10-300μW Max.

推荐:1μW 100μW

频率公差

f_— l

±10 × 10-6 (标准),
(±5 × 10-6 
±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-40°C ~+85°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

20PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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XX 3225

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抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。泰艺晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致台湾晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。12M台湾进口晶体,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振
静电
过高的静电可能会损坏石英晶体谐振器,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

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RB-5

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明3225mm贴片晶振所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。12M台湾进口晶体,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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2.振荡补偿
除非在3225石英晶体振荡器振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。泰艺晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司

联系人:茹红青

手机:13510569637

电话:0755-27837162

QQ号:657116624

微信公众号:CITIZENCRYSTAL

搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振

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