2520石英贴片晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

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EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

频率：2~60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品~60贴片晶振被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27837162

日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件（苏州）有限公司】爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事压电石英晶体系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.

爱普生品牌系列千赫子的2520晶振,目前占据了中国市场进口晶25％的份额,品牌质量,货期,品种,品质是广大用户有目共睹,从MC-146晶振最早期从MP4,MP3收音机模块启用开始,在到国内外各大知名品牌手机,最后应用到国内山寨手机市场,几乎占据80％的手机行业晶振类别,产品本身特点是体积小,耐高温,稳定性能高,排带包装,应用自动贴片方便.爱普生晶振小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.

EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振,石英晶振产品电极的设计：石英晶振产品的电极对于石英晶体元器件来讲作用是1.改变频率；2.往外界引出电极；3.改变电阻；4.抑制杂波。第1、2、3项相对简单，第4项的设计很关键，电极的形状、尺寸、厚度以及电极的种类(如金、银等)都会导致第4项的变化。特别是随着晶振的晶片尺寸的缩小对于晶片电极设计的形状及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等对晶振产品的影响的程度增大，故对电极的设计提出了更精准的要求。

小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

爱普生晶振规格	SG-210SCBA晶振
驱动输出	CMOS
常用频率	2~60MHZ
工作电压	+3.3V（代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
静态电流	（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO输出电压	0.8Vp-p min.
TCXO输出负载	（10kΩ//10pF) ±10％
常规温度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
频率温度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
频率温度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG7050EBN

156.253906 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN

156.250000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN

125.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN

100.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG-210SCBA

12.288000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 3.0 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

SG-210SCBA

27.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 105 °C

+/-50 ppm

≤ 4.0 mA

+/-3ppm

40 to 60 %

SG-210SCBA

49.090000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 105 °C

+/-50 ppm

≤ 4.0 mA

+/-3ppm

40 to 60 %

SG-210SCBA

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 125 °C

+/-100 ppm

≤ 4.0 mA

+/-3ppm

40 to 60 %

爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0045110012

SG7050EBN

156.253906 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045110601

SG7050EBN

156.250000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045110602

SG7050EBN

125.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045110603

SG7050EBN

100.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 55.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045910026

SG-210SCBA

12.288000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 3.0 mA

+/-3ppm

45 to 55 %

X1G004591A001

SG-210SCBA

27.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 105 °C

+/-50 ppm

≤ 4.0 mA

+/-3ppm

40 to 60 %

X1G004591A002

SG-210SCBA

49.090000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 105 °C

+/-50 ppm

≤ 4.0 mA

+/-3ppm

40 to 60 %

X1G004591A003

SG-210SCBA

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.90 mm

CMOS

-40 to 125 °C

+/-100 ppm

≤ 4.0 mA

+/-3ppm

40 to 60 %

SG-210SEBA SDBA SCBA 2520 COMS

机械处理:当2520晶振发生外置撞击时，任何石英晶体振荡器在遭到外部撞击时，或者产品不小心跌落时，强烈的外置撞击都将会导致晶振损坏，或者频率不稳定现象。不执行任何强烈的冲击石英晶体振荡器。如果一个强大的冲击已经给振荡器确保在使用前检查其特点。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

如何正确的使用有源晶振电处理：将电源连接到有源石英晶振指定的终端，确定正确的极性这目录所示。注意电源的正负电极逆转或者连接到一个终端以,以为外的指定一个产品部分内的石英晶振，假如损坏那将不会工作。此外如果外接电源电压高于晶振的规定电压值，就很可能会导致石英晶振产品损坏。所以外接电压很重要，一定要确保使用正确的额定电压的振荡，但如果电压低于额定的电压值部分产品将会不起振，或者起不到最佳精度。

有源晶振的负载电容与阻抗:负载电容与阻抗进口晶振设置一个规定的负载阻抗值。当一个值除了规定的一个设置为负载阻抗输出频率和输出电平不会满足时，指定的值这可能会导致问题例如：失真的输出波形。特别是设置电抗，根据规范的负载阻抗。输出频率和输出电平，当测量输出频率或输出水平，晶体振荡器调整的输入阻抗，测量仪器的负载阻抗晶体振荡器。当输入阻抗的测量仪器，不同的负载阻抗的晶体振荡器，测量输出频率或输出水平高，阻抗阻抗测量可以忽略。

振荡补偿:除非在贴片有源晶振振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

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如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致金属面有源四脚晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。

20181212163917

振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到小体积2520有源晶振电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。

角色的分量与参考值:在超小贴片型石英晶体振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。

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