贴片式金属面振荡器,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

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EPSON晶体,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

频率：100~175MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27837162

爱普生晶振以音叉型石英晶体谐振器,（32.768KHZ）系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的晶体应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列石英晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.

爱普生株式会社爱普生拓优科梦,（EPSON — YOCOM）1942年成立时是精工集团的第三家手表制造公司,以石英手表起家的爱普生公司到后续的生产压电SMD晶体,1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.

EPSON晶体,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振,石英晶振的切割设计：用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割，可获得不同特性的石英晶片，通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位（角度）的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其弹性性质，压电性质，温度性质不同，其电特性也各异，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。

小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围：1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.

爱普生晶振规格	SG7050EBN晶振
驱动输出	LV-PECL
常用频率	100~175MHZ
工作电压	+2.5V~+3.3V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
静态电流	（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO输出电压	0.8Vp-p min.
TCXO输出负载	（10kΩ//10pF) ±10％
常规温度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
频率温度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
频率温度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG7050CCN

8.192000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050CCN

9.830400 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050CCN

7.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050CCN

6.144000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

SG7050EBN

156.250000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN

125.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN

100.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN

106.250000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0045010060

SG7050CCN

8.192000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

X1G0045010061

SG7050CCN

9.830400 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

X1G0045010079

SG7050CCN

7.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

X1G0045010083

SG7050CCN

6.144000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.50 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 20.0 mA

+/-5ppm

40 to 60 %

X1G0045110001

SG7050EBN

156.250000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045110002

SG7050EBN

125.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045110003

SG7050EBN

100.000000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

X1G0045110004

SG7050EBN

106.250000 MHz

7.00 x 5.00 x 1.70 mm

LV-PECL

-40 to 85 °C

+/-50 ppm

≤ 75.0 mA

Included in Frequency tolerance 10 years

45 to 55 %

SG7050EBN 7050

所有产品的共同点1：抗冲击:抗冲击是指7050晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。 EPSON晶体,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

4：粘合剂:请勿使用可能导致进口晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

晶振产品使用每种产品时,请在日产晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。

驱动能力：驱动能力说明石英晶体振荡器所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2_Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。EPSON晶体,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振

1、振荡电路：晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。7050无线应用程序晶体的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。2。角色的分量与参考值：在振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，LVDS晶振也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。

测试条件：(1) 电源电压超过150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他输入电容低于 15 pF.5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量7050贴片晶振频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过有源晶振的放大器时，可同时进行测量。(3) 其他：CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）,