EPSON晶体,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振
频率:80~170MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
日本精工爱普生接受了中国苏州政府2007 年的招商引资,命名为【爱普生拓优科梦水晶元器件(苏州)有限公司】 爱普生拓优科梦(Epson Toyocom)是精工爱普生株式会社与爱普生(中国)有限公司共同投资成立的有限责任公司(外商合资).目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事石英晶振系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.
爱普生品牌系列千赫子的石英晶振,目前占据了中国市场进口晶25%的份额,品牌质量,货期,品种,品质是广大用户有目共睹,从MC-146晶振最早期从MP4,MP3收音机模块启用开始,在到国内外各大知名品牌手机,最后应用到国内山寨手机市场,几乎占据80%的手机行业晶振类别,产品本身特点是体积小,耐高温,稳定性能高,排带包装,应用自动贴片方便.爱普生晶振小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.
EPSON晶体,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振,英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴。对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。
贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品贴片晶振被广泛应用于,平板笔记本,卫星系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.
爱普生晶振规格 |
SG5032CBN晶振 |
驱动输出 |
CMOS |
常用频率 |
80~170MHZ |
工作电压 |
+1.6~+3.63V (代表値) |
静态电流 |
(工作时)+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
TCXO输出负载 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
频率温度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG5032CAN
38.880972 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
24.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
24.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
50.001250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 2.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CBN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032CBN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032CBN
133.333000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032CBN
133.330000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0044510183
SG5032CAN
38.880972 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044510184
SG5032CAN
24.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-100 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044510185
SG5032CAN
24.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044510186
SG5032CAN
50.001250 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-25 ppm
≤ 2.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0044610001
SG5032CBN
100.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044610002
SG5032CBN
125.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044610003
SG5032CBN
133.333000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0044610004
SG5032CBN
133.330000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 11.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
晶振产品使用每种产品时,请在石英贴片晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 EPSON晶体,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振
晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英晶振.但是为了金属面晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。
机械振动的影响:当石英振荡器产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
1、振荡电路:晶体谐振器是无源元件,因此受到5032M有源晶振电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。2。角色的分量与参考值:在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,LVDS晶振也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。EPSON晶体,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振
测试条件:(1) 电源电压超过150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他输入电容低于 15 pF.5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量程控交换系统晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过有源晶振的放大器时,可同时进行测量。(3) 其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线)
驱动能力:驱动能力说明5032有源晶振所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2_Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
微信公众号:CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振
邮箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号
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JLX-PD
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