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爱普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
频率：125.000MHz
尺寸：3.2*2.5*1.05mm
晶振技术参数点击下载
爱普生品牌系列千赫子的石英贴片晶振,目前占据了中国市场进口晶25％的份额,品牌质量,货期,品种,品质是广大用户有目共睹,从MC-146晶振最早期从MP4,MP3收音机模块启用开始,在到国内外各大知名品牌手机,最后应用到国内山寨手机市场,几乎占据80％的手机行业晶振类别,产品本身特点是体积小,耐高温,稳定性能高,排带包装,应用自动贴片方便.
爱普生拓优科梦（Epson Toyocom）是精工爱普生株式会社与爱普生（中国）有限公司共同投资成立的有限责任公司（外商合资）.目前注册资本2500万美金.现员工人数:1500人.主要从事压电石英晶振系列产品的生产,投资初期主要生产32.768KHZ系列产品,从2009年起32.768K系列产品转向马来西亚量产.苏州爱普生工厂就以生产高端的石英晶体振荡器为主,普通石英晶体谐振器为辅.爱普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。
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爱普生温补晶振规格 |
SG3225VAN晶振 |
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温补晶振频率 |
73.500MHz~700.000MHz |
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常用标准频率 |
100MHz,125MHz,133MHz,156.25MHz,200MHz,700MHz |
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工作电压 |
+2.5V~+3.3V （代表値） |
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静态电流 |
（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO输出负载 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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频率温度偏差 |
±30×10-6/-20℃～+70℃ |
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±50×10-6/-40℃～+85℃（オプション） |
X1G0042410001晶振系列原厂编码：
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Frequency | LxWxH |
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Ope Temperature |
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Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410001 | SG3225VAN | 125.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410002 | SG3225VAN | 125.006250 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410004 | SG3225VAN | 100.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410005 | SG3225VAN | 200.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410006 | SG3225VAN | 400.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410007 | SG3225VAN | 106.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410008 | SG3225VAN | 212.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410009 | SG3225VAN | 74.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410010 | SG3225VAN | 148.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410011 | SG3225VAN | 75.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410012 | SG3225VAN | 150.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410014 | SG3225VAN | 156.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410015 | SG3225VAN | 312.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410016 | SG3225VAN | 312.515625 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % |
爱普生SG3225VAN差分晶振系列型号规格表：
表面安装型晶体单元的安装
（1）严重的温度变化在长时间和反复的严重温度变化下焊料可能会破裂;这是由于扩张造成的印刷线路板的温度系数不同材料和表面贴装型晶体陶瓷封装。如果预期会出现这种情况并避免此类问题。
（2）自动安装引起的冲击
请注意，在超小型石英晶振自动安装过程中，此类过程作为吸附，夹紧或安装到电路板上，可以对晶体单元施加太大的机械冲击，并且电气特性可能会改变或恶化。
（3）弯曲PC板引起的应力
如果3225车载振荡器焊接到PC板后，则电路板是弯曲，机械应力可能导致焊接部分剥离或晶体单元包装破裂。
（4）接地端子
如果晶体单元配有接地端子，请确保将其焊接到GND或电源端子。如果不是接地，可能无法获得正确的频率。
焊接和超声波清洗
晶体单元的焊接温度条件是旨在允许同时处理其他电子元件，但取决于产品类型条件可能受到限制。确认使用前的条件。基本上，超声波清洗助焊剂允许，但在某些情况下，与振荡共振超声波清洁器的频率可能会导致晶体单元的特性恶化。请检查所有清洁前的条件。
腐蚀性物质的影响
当晶体单元接触盐或腐蚀性材料或长期暴露于某些物质这可能是氯化物或硫化物气体等气氛造成严重的缺陷，例如包装失去其密封性由于腐蚀。选择粘合剂或灌封时要特别小心用于晶体单元周边的试剂。
驱动能力：驱动能力说明LVDS晶振所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2_Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
1、振荡电路：晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。爱普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
2。角色的分量与参考值：在振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，差分晶体振荡器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。
测试条件：(1) 电源电压超过150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他输入电容低于 15 pF.5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过差分晶振的放大器时，可同时进行测量。(3) 其他：CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
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