爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
频率:32.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.9mm
小体积贴片3225mm晶振,外观小型,表面贴片型有源贴片晶振,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型(2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.)具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
爱普生拓优科梦是一家专业从事晶体元件的厂商,爱普生拓优科梦(Epson — yocom)运用长年积累的培育人工石英贴片晶振以及以加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大元器件:石英晶体谐振器、传感元器件、光学元器件,并创出将其复合而成的模块,为成为不可缺少的企业而迈进至今.爱普生拓优科梦把半导体(IC)称之为“产业之米”,并认为晶体元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.
40多年前为支持SEIKO(精工)手表而成立的Epson石英部件部门强在PC、NB、手机及消费电子等运用上,市占率高达七八成,其中又以32.768K晶振称霸业界。爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界。1996年2月在中国苏州投资建厂,在当时员工人数就达2000人,总投资4.055亿美元,公司占地200亩,现已经是世界500强企业.
爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振.接缝密封温度补偿型石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:温补晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
温补晶振规格 |
TG-5006CE晶振 |
温补晶振频率 |
13.000MHz~52.000MHz |
常用标准频率 |
16.3676/ 16.368/ 16.369/ 16.8/19.2/ 38.4/ 20/ 26MHz |
工作电压 |
+1.8V~+3.3V (代表値) |
静态电流 |
(工作时)+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
TCXO输出负载 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
常规温度偏差 |
±2.0×10-6 (After 2 reflows) |
频率温度偏差 |
±0.5×10-6/-30℃~+85℃ |
±2.0×10-6/-40℃~+85℃(オプション) |
TG-5006CE晶振系列原厂编码:
|
Model |
|
LxWxH | Output Wave | F.Tol@25°C | Ope Temperature |
|
I [Max] | Freq. Control | 25°C Aging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010006 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010008 | TG-5006CE | 16.369000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010010 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010013 | TG-5006CE | 16.367667 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010017 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010020 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-9 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010023 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-8 to +/-15 Vc=0.4 to 2.4V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010025 | TG-5006CE | 32.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010026 | TG-5006CE | 26.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.5 mA | +/-8 to +/-14 Vc=0.5 to 2.5V | +/-1ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
X1G0042010032 | TG-5006CE | 20.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 0.90 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-2.00 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm |
输出频率和输出电平
测量输出频率或输出电平时一个晶体振荡器,调整输入阻抗测量仪器对3225温补振荡器的负载阻抗振荡器。当测量仪器的输入阻抗为不同于晶体振荡器的负载阻抗,用高电平测量输出频率或输出电平阻抗使测量侧的阻抗可以忽略。
机械处理
1.冲击
不要对温补晶体振荡器施加任何强烈冲击。携带振荡器或将其安装在另一个振荡器上时设备,保护设备免受任何冲击,小心不要放下它或用坚硬的物体击打它。强烈冲击可能会导致可能会损坏晶体振荡器内部的部件导致振荡器无法工作。如果振荡器受到强烈冲击,请确保在使用之前检查其特性。
2.安装引线安装晶体振荡器
不要对端子施加过大的力安装进口TCXO温补晶振的螺丝。将晶体振荡器安装在印刷电路板上时,请对齐安装孔之间的距离终端。如果强制安装振荡器和这些距离彼此不同,终端可以是破损。不要弯曲直径为0.6mm或以下的密封端子更多。即使需要弯曲直径的端子0.6毫米或更小,不要直接弯曲它们密封底座,以保护密封玻璃。如果玻璃破裂,可能会有气密密封和绝缘受影响的单位可能无法交付规定的特点。
当一个非密封晶体振荡器(与其产品安装有用于频率校正的孔的盒子,小心防止助焊剂进入孔中,因为可移动元件,如可变电容器和可变电阻器位于孔的内侧。将端子焊接在260°C(温度为20°C)终端)最多五秒钟。不要焊接端子直接连接到盖子或底座。
爱普生温补晶振系列型号表:
模型 | 功能 |
尺寸 [mm] |
输出 频率 范围 [MHz] |
频率容差 [x10 ^ -6] @ + 25°C |
频率容差/工作温度 [x10 ^ -6] @ + 25°C |
输出 波 |
供电电压 [V] |
新 TG2016SMN |
TCXO或 VC-TCXO |
2.0x1.6 x0.73 |
10至55 标准频率 19.2MHz 26.0MHz 38.4MHz |
+/- 1.5 |
+/- 0.5 / -40至+85 +/- 2.0 / -40至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
新 TG2520SMN |
TCXO或 VC-TCXO |
2.5x2.0 x0.8 |
10至55 标准频率 19.2MHz 26.0MHz 38.4MHz |
+/- 1.5 |
+/- 0.5 / -40至+85 +/- 2.0 / -40至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
TG-5006CE |
TCXO或 VC-TCXO |
3.2x2.5 x0.9 |
13至20 25至40 |
+/- 2 |
+/- 0.5 / -30至+85 +/- 2 / -30至+85 |
削峰 正弦波 波 |
1.7 至 3.63 |
TG2520CEN |
TCXO VC-TCXO |
2.5x20 x0.8,更能体现 |
12至50岁 | +/- 2 |
+/- 2 / -40到+85 |
CMOS |
2.375 至 3.63 |
TG3225CEN |
TCXO或 VC-TCXO |
3.2x2.5 x0.9 |
12至50岁 | +/- 2 |
+/- 2 / -40到+85 |
CMOS |
2.375 至 3.63 |
TG5032CGN |
TCXO VC-TCXO (适用于网络系统) |
5.0x3.2 x1.45 (10针) |
10到40 | +/- 1 |
+/- 0.1 / -40至+85 +/- 0.25 / -40至+85 +/- 0.28 / -40至+85 |
CMOS |
3.3 Typ。 (2.375至3.63) |
驱动能力:驱动能力说明温补晶体振荡器单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2_Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
工控晶振测试条件:(1) 电源电压? 超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他 输入电容低于 15 pF, 5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于1MΩ。当波形经过石英晶体振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3) 其他? CL包含探头电容。 应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线)
振荡电路:石英晶体振荡器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
角色的分量与参考值:在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。爱普生晶振,温补晶振,TG-5006CE晶振,X1G0042010025晶振
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
微信公众号:CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振
邮箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号
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