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EPSON晶体,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

频率:1~75MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

有源晶振,是只石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
订购热线:0755-27837162
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       爱普生贴片式石英晶振振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品2520晶振被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

       EPSON爱普生公司成立于1942年5月,总部位于日本长野县诹访市,是数码映像领域的全球领先企业.爱普生集团通过富有创新和创造力的文化,提升企业价值,致力于为客户提供数码影像创新技术和解决方案.爱普生拓优科梦是一家专业从事晶体元件的厂商,爱普生拓优科梦(Epson — yocom)运用长年积累的培育人工贴片晶振以及以加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的综合技术,提出“3D战略”究极应用石英特性而制造的三大元器件:定时元器件、传感元器件、光学元器件.

      EPSON晶体,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振,晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。

       2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

爱普生晶振规格

SG-210STF晶振

驱动输出

CMOS

常用频率

2.375~60MHZ

工作电压

+1.6~3.6V (代表値) 
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

静态电流

(工作时)+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO输出电压

0.8Vp-p min.

TCXO输出负载

10kΩ//10pF) ±10

常规温度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

频率温度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-210SEH 145.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SEH 98.304000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0039510010 SG-210SEH 145.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510011 SG-210SEH 150.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 8.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510013 SG-210SEH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039510014 SG-210SEH 98.304000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 6.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0041710002 SG-210STF 33.300000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710005 SG-210STF 1.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710006 SG-210STF 1.843200 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0041710007 SG-210STF 2.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 1.8 mA +/-3ppm 45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

       机械振动的影响:当OSC振荡器产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。EPSON晶体,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

       晶振产品使用每种产品时,请在金属面晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 

       晶振产品的设计和生产直到出厂,都会经过严格的测试检测来满足它的规格要求。通过严格的出厂前可靠性测试以提供高质量高的可靠性的石英进口晶振.但是为了石英晶振的品质和可靠性,必须在适当的条件下存储,安 装,运输。请注意以下的注意事项并在最佳的条件下使用产品,我们将对于客户按自己的判断而使用石英晶振所导致的不良不负任何责任。

          测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).EPSON晶体,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

20181212163902

       驱动能力:驱动能力说明四脚贴片晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).

20181212163938

         振荡电路的检查方法:振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在智能手机晶振电路上的谐振器的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。

      接触振荡电路:探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过无线蓝牙贴片晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。

20181212163818

JLX-6

RB-6

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有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

JLX-PD

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