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EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振

频率:80~170MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

小型贴片有源晶振,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,贴片高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和各式IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等数码领域,符合RoHS/无铅.
订购热线:0755-27837162
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       在2010年全球晶振厂家排名中,占据首位.爱普生仅此一项水晶振动子行业就能足矣让电子世界的人都敬佩不已.爱普生晶振以32.768KHZ晶振称霸晶振行业,主要消费在手机,PCB,等电子产品.同时爱普生以提供原子钟的精准振荡器知名业界.仅此在音叉振子和振荡器还远远达不到爱普生本身的要求.他们要求的是在元器件占领NO1.

       因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHz为止高频的表面声波(SAW)元器件.爱普生拓优科梦把半导体(IC)称之为“产业之米”,并认为贴片晶振元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景.  爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶振元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.

      EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振,石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。

      2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的2520晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

爱普生晶振规格

SG-210SCH晶振

驱动输出

CMOS

常用频率

80~170MHZ

工作电压

+3.3V(代表値) 
電源電圧は+1.7V+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能

静态电流

(工作时)+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO输出电压

0.8Vp-p min.

TCXO输出负载

10kΩ//10pF) ±10

常规温度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

频率温度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 90 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-20 ppm ≤ 2.8 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0036410042 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 90 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036410043 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-20 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036410044 SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -40 to 85 °C +/-20 ppm ≤ 2.8 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0036410045 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS -20 to 70 °C +/-15 ppm ≤ 2.3 mA Included in Frequency tolerance First year 45 to 55 %
X1G0039310001 SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039310004 SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039310009 SG-210SCH 100.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0039310011 SG-210SCH 125.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.90 mm CMOS -20 to 70 °C +/-50 ppm ≤ 9.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

      存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

      机械振动的影响:当日产晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。 

      PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于晶体振荡器器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。 

           振荡补偿:除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SCH晶振,X1G0039310001晶振

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       测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量SPXO晶体振荡器频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).

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        晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在进口石英晶振基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。

       适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过四脚有源贴片晶振测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。


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有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
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