小体积2520mm振荡器,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

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EPSON晶体,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

频率：2.375~60MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.

订购热线：0755-27837162

爱普生品牌系列千赫子的贴片晶振,目前占据了中国市场进口晶振25％的份额,品牌质量,货期,品种,品质是广大用户有目共睹,从MC-146晶振最早期从MP4,MP3收音机模块启用开始,在到国内外各大知名品牌手机,最后应用到国内山寨手机市场,几乎占据80％的手机行业晶振类别,产品本身特点是体积小,耐高温,稳定性能高,排带包装,应用自动贴片方便.爱普生晶振小体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合ROHS/无铅标准.

精工爱普生株式会社（总经理:碓井稔,以下简称为“爱普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫电子有限公司签订在中国区域深圳总代理签订合作协议,在同年期间苏州爱普生水晶宣布将高端的石英晶体振荡器生产重心转移到中国苏州爱普生工厂生产,并且成立研发中心.因为智能手机,以及GPS卫星导航的普及,有源晶振得到迅速的发展,并且从早期5X7mm的体积演变到今天2520mm体积的温补晶振,压控晶振,以下是有源石英晶体振荡器部分产品型号,爱普生料号等.

EPSON晶体,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振,石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。

小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型石英晶体振荡器,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

爱普生晶振规格	SG-211SDE晶振
驱动输出	CMOS
常用频率	2.375~60MHZ
工作电压	+2.2~2.7V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範囲の任意の電圧で動作可能
静态电流	（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時）+1μA以下
TCXO输出电压	0.8Vp-p min.
TCXO输出负载	（10kΩ//10pF) ±10％
常规温度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
频率温度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
频率温度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

SG-211SCE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 90 °C

+/-25 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SCE

10.000250 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SCE

10.000400 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SCE

19.660000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-15 ppm

≤ 4.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

26.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

37.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SDE

54.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 5.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0036210198

SG-211SCE

24.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 90 °C

+/-25 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036210200

SG-211SCE

10.000250 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036210201

SG-211SCE

10.000400 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 3.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036210202

SG-211SCE

19.660000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-15 ppm

≤ 4.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310003

SG-211SDE

26.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 2.5 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310004

SG-211SDE

40.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310005

SG-211SDE

37.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-20 to 70 °C

+/-20 ppm

≤ 3.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

X1G0036310006

SG-211SDE

54.000000 MHz

2.50 x 2.00 x 0.80 mm

CMOS

-40 to 85 °C

+/-15 ppm

≤ 5.0 mA

Included in Frequency tolerance First year

45 to 55 %

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

晶振产品使用每种产品时,请在OSC晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。 EPSON晶体,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

所有产品的共同点1：抗冲击:抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种金属面晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂:请勿使用可能导致2520晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.EPSON晶体,有源晶振,SG-211SDE晶振,X1G0036310003晶振

20181212163902

晶体谐振腔的形式模式，但日本进口有源晶振泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。

适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过2520小体积晶振振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。

20181212163842