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EPSON晶体,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
频率：50~80MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
因此除了KHZ,MHZ的研究发展,另外还发明GHZ技术,使工艺技术达到人无完人,史前无例,实现以基波方式产生2.5GHz为止高频的表面声波（SAW）元器件.爱普生拓优科梦把半导体（IC）称之为“产业之米”,并认为贴片晶振元器件更是离不开的“产业之盐”.将进一步致力于小型、高稳定、高精度晶体元器件的开发,为现有的应用程序以及生活新蓝图开拓广阔前景. 爱普生晶振在KHZ,MHZ,以及GHZ上都有重大突破,使得爱普生拓优科梦的晶振元器件已以23%的市场占有率位于业界第一.
爱普生晶振以音叉型石英晶体谐振器,（32.768KHZ）系列出名,目前爱普生品牌遍布全世界,而千赫兹的石英晶体振荡器应用范围也比较广阔,所有的时记产品都需要用上KHZ系列晶体,该系列产品具有小型,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有小型化要求的市场领域.是对应陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比出色的产品.最适用于HDD, SSD, USB数码产品,播放器、数码相机、笔记本电脑、移动电话等.等用途.
EPSON晶体,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振,石英晶振的研磨技术：通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨，使石英晶振的晶片达到（厚度/频率）的一定范围。石英晶振晶片厚度与频率的关系为：在压电晶体行业，生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面，通过理论与实际相结合，累积多年的晶振研磨经验，通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术，注重贴片晶振研磨过程的各种细节，注重晶振所用精磨研磨设备的选择；
有源晶振,是只压电石英晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
|
爱普生晶振规格 |
SG-210SED晶振 |
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驱动输出 |
CMOS |
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常用频率 |
50~80MHZ |
|
工作电压 |
+1.8V（代表値） |
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静态电流 |
（工作时）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO输出电压 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO输出负载 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常规温度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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频率温度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
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±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
爱普生日产有源兆赫兹晶振型号列表：
爱普生日产有源兆赫兹晶振编码列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SDD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SED
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SED
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SED
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0029310009
SG-210SDD
62.500000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310010
SG-210SDD
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310011
SG-210SDD
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029310013
SG-210SDD
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029410001
SG-210SED
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029410002
SG-210SED
75.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029410006
SG-210SED
50.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
X1G0029410008
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
10ppm ;@?ºC,10Years
45 to 55 %
PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于振荡器器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口石英晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
机械振动的影响:当日产贴片晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。
振荡电路:晶体谐振器是无源元件，因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此，在振荡电路的设计中，先决条件之一是如何确定振荡电路。晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后，后续的项目，例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。EPSON晶体,有源晶振,SG-210SED晶振,X1G0029410001晶振
角色的分量与参考值:在超小型2520晶振振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量进口石英晶体振荡器频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在2520mm有源晶振基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过小体积可编程晶体振荡器测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
手机：13510569637
电话：0755-27837162
QQ号：657116624
微信公众号：CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号：晶振石英晶振NDK晶振
邮箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市宝安区41区甲岸路19号
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JLX-PD
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