Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
频率:3.500MHz~75.000MHz
尺寸:11.4*4.8mm
Vectron将继续成为全球市场的世界级供应商,并将在符合市场需求的情况下应用创新的、前瞻性的道德原则。我们完全致力于认识客户的需求,所有的石英晶振以卓越的品质、服务、响应能力和规范要求来回应这些需求。我们所有的员工都致力于这些原则,以顾客满意和持续改进为他们的永恒目标。
Vectron国际公司既是一个贴片晶振产品制造商,也是一个解决方案提供商,以其独特的技术领先,但总是准备设计和设计定制解决方案,在那里需要。美国威克创抯核心竞争力结合了经典的水晶,看到技术和复杂的集成电路和先进的包装。除了这些伟大的创新能力之外,Vectron还致力于非常灵活和专注于服务,快速和专业地帮助客户创新、改进和发展他们的业务。49S型压电石英晶体,进口椭圆形贴片晶振,VXB1晶振
Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振.具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
维管石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体谐振器必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
VECTRON晶振 |
单位 |
VXB1晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
5.500MHZ~75.000MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10-100μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-40°C ~ +85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
6pF~32PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
辐射
暴露于辐射环境会导致假贴片晶振性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。49S型压电石英晶体,进口椭圆形贴片晶振,VXB1晶振
静电
过高的静电可能会损坏进口晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明11.4*4.8贴片谐振器所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Vectron晶振,49SMD晶振,VXB1晶振
2.振荡补偿
除非在49S型SMD晶体振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致49SMD贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。49S型压电石英晶体,进口椭圆形贴片晶振,VXB1晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
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