CTS晶振,贴片晶振,TFE16晶振,美国谐振器
频率:32.768KHZ
尺寸:1.6*1.0mm
2007、CTS完成α陶瓷收购,提供传感器在军事和航空航天市场的传感器制造商的压电陶瓷材料。因此,CTS增强其全球领先的位置在压电陶瓷谐振器具有独特的能力范围2008 tusonix,公司收购,在Nogales、墨西哥的制造业务,增加了电磁和射频干扰(EMI/RFI)滤波器元件的CTS系列产品。2012、CTS完成•华裴Fisher公司的收购,在精度和频率的晶体振荡器的设计制造的领导者。此次收购扩大了CTS的技术和工程能力。2012也是CTS收购了研发技术的一年,该公司是一家私人定制的传感器、开关和机电组件制造商,服务于汽车轻车市场。此次收购显著扩大CTS的战略汽车传感器产品平台与新客户和更广泛的产品组合。
作为CTS过渡到上世纪70年代,环境污染问题导致美国政府授权的汽车排放控制要求。节气门位置传感和排气再循环控制的需要将CTS浸入到引擎盖和底盘位置传感器业务中,为公司打开新的市场机会。最近,CTS的汽车晶振产品扩展到商用车、越野和重型设备市场,实现了战略增长的里程碑。CTS开发并推出了强大的智能执行器?为燃料配送管理等应用中,可变叶片涡轮增压器的控制,为各种大型柴油机管理功能,适合。另外,CTS汽车用品位置传感器的小型发动机市场(摩托车、沙滩车、舷外发动机等)。
CTS晶振,贴片晶振,TFE16晶振,美国谐振器,贴片石英晶体谐振器,又简称为排带包装,这是这产品采用排带盘式包装,使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高速的焊接,大大节约人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品。本产品具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面型音叉式石英晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。
CTS晶振 |
单位 |
TFE16晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
0.1~0.5μW Max. |
推荐:0.1~0.5μW |
频率公差 |
f_— l |
±10,20× 10-6 |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
5,7,9,12.5PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。石英晶体谐振器的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。CTS晶振,贴片晶振,TFE16晶振,美国谐振器
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是无源石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:
线路连接的电阻(R)与晶体串联(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果小型贴片晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。采用具有较低电阻(RR)的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。
振荡补偿:除非在32.768K压电石英晶体振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。CTS晶振,贴片晶振,TFE16晶振,美国谐振器
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过进口SMD晶振振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在32.768K音叉晶体基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过1610千赫晶振测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
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