CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器
频率:32.768KHZ
尺寸:2.0*1.2mm
1999,CTS收购了摩托罗拉的组件产品部门(CPD)。更名为CTS的无线组件,这一收购将CTS在新兴的手机和基站市场前沿通过陶瓷过滤器的制造,双工器和其他通信组件。此外,90年代后期与美国动力公司(DCA)的合并,增强了CTS晶振作为电子元件的主要生产商的地位。2012、CTS完成•华裴Fisher公司的收购,在精度和频率的晶体振荡器的设计制造的领导者。此次收购扩大了CTS的技术和工程能力。2012音叉二脚晶振,32.768千赫兹谐振器,TFA20晶振
作为CTS过渡到上世纪70年代,环境污染问题导致美国政府授权的汽车排放控制要求。节气门位置传感和排气再循环控制的需要将CTS浸入到引擎盖和底盘位置传感器业务中,为公司打开新的市场机会。在之后的十年,为了满足不断增长的全球市场需求,CTS完成扩建石英晶振工厂在墨西哥,新加坡,苏格兰,美国,加拿大,香港和台湾,进一步增加了CTS的全球影响力。
CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器,32.768K音叉型石英晶体谐振器产品具有以下几种规格,∅3*8,∅2*6,我公司所有材料均是来自日本进口,封装测试设备采用日本精工仪器设备,并且从日本聘请高级技术工程师,我司所生产的32.768K晶体具备一致性良好,频率稳定度高,耐抗震强,每批次出厂均采用24小时老化测试,产品精度分为以下几±20ppm,±10ppm,±5ppm,也可以根据客户需求特殊分为+偏差,或者-偏差,产品使用温度高温可达到+70°低温可达到-40°产品被广泛应用到比较高端的汽车电子产品,民用产品有家用电器,智能笔记本,MP3,MP4多功能播放器,智能手表等产品。
通过理论与实际相结合,累积多年的晶振研磨经验,通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重进口贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等;注重石英晶振研磨用工装如:游轮的设计及选择,从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制,最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄,贴片晶振晶片的频率越来越高,为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础,提升了晶振厂家的竞争力,使晶振厂家高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。2012音叉二脚晶振,32.768千赫兹谐振器,TFA20晶振
CTS晶振 |
单位 |
TF16晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
0.1~0.5μW Max. |
推荐:0.1~0.5μW |
频率公差 |
f_— l |
±10,20× 10-6 |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±15~ ±100× 10-6/-30°C~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
5,7,9,12.5PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说,无源陶瓷晶振微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是进口石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:2012音叉二脚晶振,32.768千赫兹谐振器,TFA20晶振
线路连接的电阻(R)与晶体串联(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果音叉型晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致2012石英晶体谐振器荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。CTS晶振,贴片晶振,TFA20晶振,石英晶体谐振器
1.振荡电路:晶体谐振器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。音叉型石英晶体谐振器振的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2.角色的分量与参考值:在千赫兹贴片晶振振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
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