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Greenray晶振,温补晶体振荡器,T1185晶振

频率:100.000MHz~800.000MHz

尺寸:14.22*9.14mm

TCXO温补晶振温度稳定度可达±0,5PPM,在普通晶体谐振器和振荡器中,我们可接受高频率和偏频率以及少数量的高精度宽温的制作.
订购热线:0755-27837162
QQ咨询 点击这里给我发消息

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Greenray格林雷晶振集团为几个主要市场提供石英晶振,贴片晶振,压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体等频率控制解决方案.在军事市场上,我们为智能弹药、导弹制导、移动接收器和雷达系统提供产品.Greenray格林雷晶振集团致力于研发生产高精密,性能稳定的石英晶体振荡器,满足不同客户的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特点.
Greenray晶振减少污染物排放,对不可再生的资源进行有效利用.减少废物的产生,对其排放的责任进行有效管理,有效地使用能源.通过石英晶振,贴片晶振,温补晶振,石英晶体振荡器设计工艺程序对员工进行培训保护环境以及人们的健康和安全.提供安全使用和废置我们的产品的信息,对环境有重大健康安全和环境的运营现状进行纠正.
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Greenray晶振,温补晶体振荡器,T1185晶振.具有最适合于移动通信设备用途的高稳定的频率温度特性.为对应低电源电压的产品.(可对应DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,体积:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,轻型.低消耗电流,表面贴片型产品.(可对应回流焊) 无铅产品.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
格林雷晶振拥有好的相位噪声和抖动的同时TCXO晶振的设计复杂,体积大,频率低,造价高。实际上相位噪声和抖动是短期频率稳定度的度量,所以一般越高端的晶振,即频稳越好的晶振,这些指标也相应越好。SMD型TCXO振荡器,高精度温补晶振,T1185晶振

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RB-2

型号

T1185晶振 (TCXO)14.22*9.14mm

输出频率范围

100~800MHz

标准频率

16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz

电源电压范围

+3.3V

电源电压(Vcc

+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V

消耗电流

+1.5mA max.f26MHz/+2.0mA max.26f52MHz

待机时电流

-

输出电压

0.8Vp-p min.f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled

输出负载

10kΩ//10pF

频率稳定度

常温偏差

±1.5×10-6 max.After 2 reflows

温度特性

±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-30?+85
±0.5×10-6,±2.5×10-6 max./-40
?+85Option

电源电压特性

±0.2×10-6 max.VCC ±5%

负载变化特性

±0.2×10-6 max.10kΩ//10pF±10%

长期变化

±1.0×10-6 max./year

频率控制

控制灵敏度

-

频率控制极性

-

启动时间

2.0ms max.

JLX-3

RB-3

t1185 14.22 x 9.14 TCXO

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噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。SMD型TCXO振荡器,高精度温补晶振,T1185晶振
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低。
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英晶体振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的有源晶振的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致进口贴片晶振无法产生振荡和/或非正常工作。

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RB-5

设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明贴片有源晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振荡补偿
除非在定位导航晶振振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。

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3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致温补石英晶体振荡器频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。SMD型TCXO振荡器,高精度温补晶振,T1185晶振

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频率和负载电容特征图器

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振荡回路参数设置参考

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公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司

联系人:茹红青

手机:13510569637

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