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SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振

频率:32.768KHz

尺寸:1.54*0.84mm

1508mm体积的温补晶振(TCXO),是目前有源晶振中体积最小的一款,产品本身带温度补偿作用的晶体振荡器,该体积产品最适合于GPS,以及卫星通讯系统,智能电话等多用途的高稳定的频率温度特性晶振.满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,带有AFC(频率控制)功能,Enable/Disable功能,产品本身可根据使用需要进行选择.
订购热线:0755-27837162
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    SiTime晶振的MEMS技术起源于博世和斯坦福大学。在我们的创始人创立SiTime之前,他们花了数年时间,在德国的博世和加州的帕洛阿尔托研发挽救生命的MEMS解决方案。我们已经向世界各地的客户提供了超过7亿部份的产品,在MEMS的时间安排上有90%的份额,并且每年都在以超过50%的速度增长。SiTime是兆大公司(东京证券交易所:6875)的独立子公司。SiTime于2013年进入智能手机市场,第一个是移动电话的MEMS振荡器,现在可穿戴设备和物联网应用正在快速增长。
    我们让oem厂商和ODMs都很容易使用SiTime贴片晶振。我们的QFN振荡器是100%的替代石英振荡器,而不需要任何板上的改变。另外,我们的可编程架构使最灵活的产品具有更多的特性和超快的交货期。SiTime解决方案是一个很容易的选择——一旦我们的客户使用SiTime产品,他们很少会回到quartz。超小型有源晶振,低电压晶体振荡器,SiT1552晶振

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    SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振.是针对电池供电应用而优化的超小型,超低功耗32.768 kHz TCXO。 SiTime的硅MEMS技术使全球最小的封装和芯片级封装(CSP)中的首款32 kHz TCXO成为可能。典型的内核电源电流仅为1μA。与标准振荡器不同的是,SiT1552具有NanoDrive™(工厂可编程输出),可降低电压摆幅以最大限度地降低功耗。TCXO频率稳定性SiT1552在多个温度点进行出厂校准(微调),以确保在整个温度范围内具有极高的稳定性。
    SiTime贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定。

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SiTime晶振

标示

SiT1552晶振

晶振基本信息对照表

标准范围

f0

32.768KHz

 

電源電圧

Vcc

1.5V~3.63V

 

输出电流

Icc

3.5 mA max.

Vcc1.8V

频率负载

L_CMOS

15pF

LVCMOS出力

标准频率偏差

f_tol

±5.0×10-6 max.


初期偏差、
周波数温度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

输出电压

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

对称

SYM

40%60%

50% Vcc

标准时间

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%L_CMOS=15pF

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RB-3

SiT1552 1508 32.768K TCXO

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噪音
    在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发32.768K温补晶振功能失常或击穿的闭门或杂散现象。
电源线路
    电源的线路阻抗应尽可能低。SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振
输出负载
    建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20 mm范围之间)。
未用输入终端的处理
    未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。
热影响
    重复的温度巨大变化可能会降低受损害的32.768K晶体振荡器的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。
安装方向
    进口晶体振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。超小型有源晶振,低电压晶体振荡器,SiT1552晶振
通电
    不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致导航仪有源晶振无法产生振荡和/或非正常工作。

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RB-5

输出波形与测试电路
1.时序表

scbx_1

2.测试条件
(1)电源电压
超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。超小型有源晶振,低电压晶体振荡器,SiT1552晶振
电源电压阻抗低于电阻 2Ω。
(2)其他
输入电容低于 15 pF
5倍频率范围或更多测量频率。
铅探头应尽可能短。
测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。
(3)其他
CL包含探头电容。
应使用带有小的内部阻抗的电表。
使用微型插槽,以观察波形。
(请勿使用该探头的长接地线。)SiTime晶振,温补晶振,SiT1552晶振

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3.测试电路

scbx_3

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RB-6

wxewm

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联系人:茹红青

手机:13510569637

电话:0755-27837162

QQ号:657116624

微信公众号:CITIZENCRYSTAL

搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振

邮箱:jinluodz@163.com

地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号

网址:http://www.quartzcrystal.cn/

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