KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
频率:30.000KHz~100.000KHz
尺寸:2*6mm
贴片石英晶体谐振器,又简称为排带包装,这是这产品采用排带盘式包装,使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高速的焊接,大大节约人工,提高工作效率.32.768KHz千赫子时钟晶体,其本身主要应用在时钟控制产品,或者是控制模块,主要给时钟芯片提供一个基准信号,其主要各项功能还得看应用何种产品.
KDS产品在业界属于高端产品,其应用偏向中高端市场. 接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5 V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
日本大真空,KDS晶振具有质量稳定,供货量平稳,并且在国内有生产线,贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.
KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振.32.768K插件音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
KDS石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
KDS晶振 |
符号 |
SM-26F晶振 |
基本信息对照表 |
Crystal标准频率 |
f_nom |
30.000KHz~100.000KHz |
|
储存温度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
特定的温度 |
激励功率 |
DL |
1.0μW (2.0μW Max.) |
如你有最大激励功率为10μW 需求,请联系我们金洛鑫电子 |
精度 |
f_— l |
±30ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐点温度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
负载电容 |
CL |
12.5pF |
可按客户需求指定 |
串联电阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ ~ 45kΩ |
频率老化 |
f_age |
±3×10-6/year Max. |
+25℃, 第一年 |
清洗
关于一般清洗液的使用以及超声波清洗没有问题,但这仅仅是对单个32.768K晶振产品进行试验所得的结果,因此请根据实际使用状态进行确认。
由于音叉型晶体谐振器的频率范围和超声波清洗机的清洗频率很近,容易受到共振破坏,因此请尽可能避免超声波清洗。若要进行超声波清洗,必须事先根据实际使用状态进行确认。
撞击
虽然日产晶振产品在设计阶段已经考虑到其耐撞击性,但如果掉到地板上或者受到过度的撞击,以防万一还是要检查特性后再使用。
装载
<SMD产品>
SMD晶体产品支持自动贴装,但还是请预先基于所使用的搭载机实施搭载测试,确认其对特性没有影响。 在切断工序等会导致基板发生翘曲的工序中,请注意避免翘曲影响到产品的特性以及软焊。 基于超声波焊接的贴装以及加工会使得SMD晶体产品(谐振器、振荡器、滤波器)内部传播过大的振动,有可能导致特性老化以及引起不振荡,因此不推荐使 用。
<引线类型产品>
当引线弯折、成型以及贴装到印制电路板时,请注意避免对基座玻璃部分施加压力。否则有可能导致玻璃出现裂痕,从而引起性能劣化。KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
保管
保管在高温多湿的场所可能会导致端子软焊性的老化。请在没有直射阳光,不发生结露的场所保管。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明圆柱弯脚晶振所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加编带32.768K晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果SM-26F弯角晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
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