NDK晶振,贴片晶振,NX8045GE晶振,进口SMD晶振
频率:4~8MHZ
尺寸:8.0*4.5*2.0mm
NDK晶振集团所处于的事业环境是智能手机市场的扩大已在延缓,但伴随着LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等带来的搭载部件的构成的变化,使得TCXO(温度补偿晶体振荡器)和SAW(弹性表面波)器件的需要在急速增加。日本电波工业株式会社作为石英晶体元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立。现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用。晶振技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力。高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振
日本NDK晶振集团创造利益,提升企业价值的同时,为了继续提升企业的价值,我们认为维持经营的透明性,确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少,我们把其放在经营最重要的课题之一的位置。日本于2015年6月制定了公司治理准则,由此我们迎来了两位外部董事。加大强化相关经营监察机能、遵守法律,确保说明责任,迅速且适当地公布信息,履行环境保全等的社会责任,而从使我们能继续成为所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企业。
NDK晶振,贴片晶振,NX8045GE晶振,进口SMD晶振,贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振
NDK晶振 |
单位 |
NX8045GE晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
4MHz~8MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
50~500μW Max. |
推荐:10μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50× 10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±150 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C~+60°C, DL =500μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
这些SMD晶振知识介绍是指,晶振在产品上线之后发生不良品或者没反应的情况下,自检办法。石英晶振如果在电路上的功能不规则或根本无法全部晶振找出得到了应用操作,请使用以下的清单找出可能存在的问题。请按照确定的因素和可能的解决方案的说明。我们从晶振使用输出无信号开始寻找相关问题。NDK晶振,贴片晶振,NX8045GE晶振,进口SMD晶振
我们可以先使用示波器或者频率计数器来检查石英晶体谐振器终端的两个信号,如果没有信号输出,请按照步骤1-1到1-4步执行检查。如果有从石英晶振(XOUT)的输出端子的输出信号,而是从在终端(辛)输出没有信号,请检查石英晶振体以下step1-5到步骤1-6。
你可以先把晶体卸载下来并测试晶振的频率和负载电容,看看他们是否能振动,也可以使用专业的石英晶体测试仪器来检测 。如果你没法检测你也可以将不良品发送给我公司,我们检测分析之后告诉你结果。如果有下列情况发生,无源晶振不起振,首先你先查看你产品上使用的负载电容CL是否对,是否跟你的线路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把产品发送回我公司分析。如果晶振频率和负载电容跟要求相对应的话,我们将需要进行等效电路测试。比如等效电路测试如下:高端数码电子谐振器,8045陶瓷壳2P晶振,NX8045GE晶振
测试条件(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量陶瓷面贴片晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).NDK晶振,贴片晶振,NX8045GE晶振,进口SMD晶振
驱动能力:驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过8x4.5mm汽车级晶振晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在8045大体积晶振基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过8045贴片晶振测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
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