NDK晶振,贴片晶振,NX2016GC晶振
频率:16.000MHz~50.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.8mm
日本NDK晶振集团创造利益,提升企业价值的同时,为了继续提升企业的价值,我们认为维持经营的透明性,确实尽到对各位股份持有者说明的责任这样的公司治理的构筑必不可少,我们把其放在经营最重要的课题之一的位置。在ADAS(先进驾驶辅助系统)所使用的车载相机和倒车雷达、远程信息处理等用途,晶体元器件的需求也呈现增加的趋势。因此,我们会开发TCXO(温补晶振)、ICXO(钟用晶体振荡器)、SAW器件等的车载用高信赖性产品并扩大其销售。
致力于环境保护,包括预防污染。在贴片晶振产品的规划到制造、运行维修等整个过程中,努力提供环保型的产品和服务。在业务活动中,努力节约资源并节省能源,致力于减少废弃物和再生资源的回收利用。在积极公开有关环境的信息的同时,通过支持环保活动,广泛地为社会作贡献。致力于保护生物多样性和可持续利用。切实运行环境管理系统PDmCA(Plan-Do-multiple Check-Act),努力提高环境性能,不断改善运用系统。NDK晶振,贴片晶振,NX2016GC晶振
NDK晶振,贴片晶振,NX2016GC晶振.2016mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
NDK石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。2016陶瓷面晶体,二脚压电石英晶振,NX2016GC晶振
NDK晶振 |
单位 |
NX2016GC晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16.000MHz~50.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C~+150°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+150°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW Max. |
推荐:10μW~200μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±150× 10-6/-40°C ~+150°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~ +150°C, DL = 10μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
<晶体谐振器>
如果过大的激励电力对无源晶振外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在宣传册、规格书中规定的范围内使用。让无源晶振振荡的电路宽裕度大致为负性阻抗值。本公司推荐此负性阻抗为谐振器串联电阻规格值的5倍以上,若是车载和安全设备,则推荐10倍 以上。2016陶瓷面晶体,二脚压电石英晶振,NX2016GC晶振
<晶体振荡器>
晶体振荡器的内部电路使用C-MOS。闭锁、静电对策请和一般的C-MOS IC一样考虑。有些贴片有源晶振没有和旁路电容器进行内部连接。使用时,请在Vdd-GND之间用0.01μF左右的高频特性较好的电容器(陶瓷片状电容器等)以 最短距离连接。关于个别机型请确认宣传册、规格书。
<晶体滤波器>
注意电路板图形的配置,避免输入端子和输出端子靠得太近。如果贴装晶体滤光片的电路板的杂散电容较大,为了消除该杂散电容,有时需要配置调谐电路。如果过大的激励电力对谐振器外加电压,有可能导致特性老化或损坏,因此请在声表滤波器的输入电平在−10dBm以下的状态下使用。
<光学产品>
由于制造过程中进行了灰尘等异物管理,因此包装开封以后,请在进行清洁度管理的环境中使用。NDK晶振,贴片晶振,NX2016GC晶振
1、设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明2016石英晶体所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。NDK晶振,贴片晶振,NX2016GC晶振
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加陶瓷面两脚晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果2016贴片晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。2016陶瓷面晶体,二脚压电石英晶振,NX2016GC晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
微信公众号:CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振
邮箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号
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