智能玩具扁壳型晶振,正方形49U插脚谐振器,MP-SMMC晶振

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CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振

频率：1.8432~64MHZ

尺寸：10.85-17.15mm

引脚焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频点,高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻,常用负载电容.49/S石英晶振,因插件型晶体成本更低和更高的批量生产能力,主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27837162

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CTS晶振公司成立于1896，是全球设计和制造各种电子元器件、传感器和执行器的领导者。主要满足原始设备制造商（OEM）的需求，CTS以其超过100年的创新产品和卓越工程而自豪。CTS产品的生产采用最先进的技术，由一个高素质和敬业的员工驱动。CTS公司成立于1896，是航空航天、通信、国防、工业、信息技术、医疗和运输市场的OEM、传感器和电子元器件的主要设计者和制造商。公司在北美洲、亚洲和欧洲设有12个生产基地，专注于为全球的工业伙伴提供先进的技术、卓越的客户服务和卓越的价值。CTS的目标是在技术的最前沿，提供创新的传感，连接和运动解决方案，以创造和推进世界各地的产品和服务。智能玩具扁壳型晶振,正方形49U插脚谐振器,MP-SMMC晶振
随着科技的不断进步，我们已经并肩前行，工程智能的方式来满足人们不断变化的需求。CTS引入新的视野和品牌，明确地传达我们是谁，为什么我们在这里，我们代表什么。CTS的身份已经建立在120年的坚实基础上。一个石英晶体基金会将继续建立我们公司的声誉，解决问题，面对挑战，利用机遇，所有的人都有经验，没有人能比得上。CTS是航空航天、通信、国防、工业、信息技术、医疗和运输市场的OEM、传感器和电子元器件的主要设计者和制造商。CTS生产的产品在北美洲、欧洲和亚洲。2013一月，奥沙利文加入了CTS的总裁和首席执行官。

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CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振,插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶体谐振器的底部装了树脂底座,就可作为产品电气特性和高可靠性无受损的表面贴片型晶体谐振器使用,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。智能玩具扁壳型晶振,正方形49U插脚谐振器,MP-SMMC晶振

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CTS晶振	单位	MP-SMMC晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	1.8432MHz~64.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:100μW
频率公差	f_— l	±30~±50× 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10-6/-30°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	7PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5× 10-6/year Max.	+25°C,第一年

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一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。（请参阅芯片组的规格）Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是音叉晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明:CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振

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线路连接的电阻（R）与DIP晶体串联（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。（3）振荡期间测量R的值。（4）你将能够获得负电阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。
如果石英晶体谐振器的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）。采用具有较低电阻（RR）的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。智能玩具扁壳型晶振,正方形49U插脚谐振器,MP-SMMC晶振

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振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在插件石英晶体电路上的谐振器的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振
接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过49U插件石英晶体输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。

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驱动能力:驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率，其49U插件晶振计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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测试条件(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过49US振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.

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