轻薄型1612无源谐振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

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村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

频率：32MHZ

尺寸：1.6*1.2*0.33mm

小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应32.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27837162

村田晶振从设计阶段开始减少环保负荷的体制建设,村田晶振由环保主管董事担任整个集团的环保活动的总负责人,由环保部跨事业所支持和促进环保活动.此外,社长的咨询机构—环保委员会,还针对各村田晶振,陶瓷谐振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振荡子,村田石英晶振据点的活动情况和全公司的环保课题进行议论和探讨.此外,为大力推进二氧化碳减排活动,设立了“防止全球变暖委员会”,加快设计、开发和生产过程中CO2减排活动的步伐.轻薄型1612无源谐振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
截止到2006年度,村田晶振在国内外的所有生产据点以及国内的非生产据点——村田制作所总公司、东京分公司、营业所,均取得了ISO14001认证.此后,村田陶瓷晶振努力开展体系整合,并于2007年3月在国内集团的34个据点完成了向ISO14001多站认证的转变.村田晶振力求通过此举,落实从设计、开发到村田晶振,陶瓷谐振器,村田进口石英晶振,村田陶瓷谐振器的生产、销售的一条龙环保管理,同时还将在一部分据点取得显著成效的改善事例推广应用到其他据点等,以提高整个村田晶振集团的环保绩效.

村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振,贴片晶振本身体积小超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型,薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使无源晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术：是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序，镀膜的工艺方法（如各镀材的功率设计等）。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强，贴片晶振频率更加集中，能控制在最小ppm之内。轻薄型1612无源谐振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

TXC晶振	单位	MCR1612晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	10MHZ	标准频率
包装规格	mm	180	最小订购单位:3000
工作温度	T_use	-30°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	100μW Max.	推荐:1~200μW
频率公差	f_— l	±30×10-6 (标准)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	(±15)×10-6/-20°C~+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	6pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	100Ω	-20°C~ +70°C, DL = 50μW
频率老化	f_age	±3×10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：镉和CG是外部负载电容，其中已建成的SMD石英晶体芯片组。（请参阅芯片组的规格）Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
例如，为了获得晶振稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）线路连接的电阻（R）与晶体串联（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。（3）振荡期间测量R的值。（4）你将能够获得负电阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。轻薄型1612无源谐振器,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振
附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。如果晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他进口无源晶振具有较低负载电容（CL）。采用具有较低电阻（RR）的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。

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负载电容:如果贴片石英晶振振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。村田晶振,MCR1612晶振,XRCMD32M000FXP50R0晶振

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测试条:(1) 电源电压? 超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。? 电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2) 其他? 输入电容低于 15 pF? 5倍频率范围或更多测量频率。? 铅探头应尽可能短。? 测量1612小体积晶振频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3) 其他? CL包含探头电容。? 应使用带有小的内部阻抗的电表。? 使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）

振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于1612mm晶体谐振器IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制1612石英贴片晶振电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。

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