加高晶振,贴片晶振,HSX531S晶振,进口晶振
频率:8~80MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
加高石英晶振本着顾客满意与品质领先的使命感,为提供客户稳定的产品品质,本公司均依照TS16949 / ISO9001的国际品质认证要求,执行并建构品质保证系统,实行严格的品质控制制度,加高电子品质管理系统的推动执行,是由品质政策展开,合理化推动品质管理,落实品质系统有效实施,相继于2000年取得ISO9001认证,2006年经BVQi验证取得ISO / TS16949品质系统之标准。
加高电子(H.ELE。)是频率元件的专业制造商,目前所提供之石英晶体(水晶),进口晶体振荡器(振荡器)之生产及销售规模居全台领先地位。成立于1976年年,借由与日本DAISHINKU(KDS)株式会社的合作,引进日本精密制程,产品设计技术及讲究的品质管理工法,进而累积扎实的研发能力。我们拥有广泛的产品规格及客制化服务,应用范围涵盖日常消费产品(如:网路与通讯产品,智慧家庭和个人电脑),高阶工业产品和车用电子。
加高晶振,贴片晶振,HSX531S晶振,进口晶振,小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求。
石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,SMD晶振温度范围宽(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴。对于圆片晶振,X、Z 轴较难区分,所以石英晶振对精度要求高的产品(如部分定单的 UM-1),会在 X 轴方向进行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的装架点胶,点胶点点在 Z 轴上。保证晶振产品的温度特性。
加高晶振 |
单位 |
HSX531S晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
8MHZ~80MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~300μW Max. |
推荐:10μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30× 10-6 /±50× 10-6 /-40°C ~+105°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF,10pF,12PF,16PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C ~+60°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有石英晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供。噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象。电源线路:电源的线路阻抗应尽可能低。输出负载:建议将石英晶振输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20 mm范围之间)。未用输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作。同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC 或GND。加高晶振,贴片晶振,HSX531S晶振,进口晶振
热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的石英贴片晶振产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿。必须避免这种情况。安装方向:振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确。通电:不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作。
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是进口石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计无源晶振频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。加高晶振,贴片晶振,HSX531S晶振,进口晶振
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量台产无源晶振频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线。)
振荡电路的检查方法:振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在智能手机晶振电路上的谐振器的振荡频率的真实值,使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路。探针不影响图2,因为缓冲器的输出是台湾进口贴片晶振通过输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。
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