村田晶振,HCR2520晶振,XRCHA16M000F0A01R0晶振
频率:16MHZ
尺寸:2.5*2.0*0.7mm
陶瓷晶振产品被广泛应用到数码电子产品,家用电器,比如电话机,游戏机等电子产品.自1944年创业以来,村田得到了巨大的发展,在2013年度制定的中期构想最终年度的2015年度,营业额达到了在村田的历史上具有里程碑意义的万亿日元。在此衷心感谢广大客户和各利益相关方长期以来的大力支持。村田公司是一家使用性能优异电子原料,设计、制造最先进的电子元器件及多功能高密度模块的企业。不仅是手机、家电,汽车相关的应用、能源管理系统、医疗保健器材等,都有村田公司的身影。
在通信市场,由于智能手机所安装元件的增加,以及载波聚合技术※的普及,村田的元件及模块的需求也在不断地提高,今后,通信市场仍将成为村田的一大支柱。为此,我们将通过供应链管理而实现的稳定供应体制,以及范围广泛的产品阵容,为通信市场提供新的价值。世界经济的石英晶振前景虽不明朗,但电子设备社会正在迅速、切实地向前发展。而这样的变化也为村田带来了新的商机。村田制定了新的“中期构想2018”以及“长期构想”,指明了为电子设备社会的发展做贡献的未来发展之路。
村田晶振,HCR2520晶振,XRCHA16M000F0A01R0晶振,小体积贴片2520mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.7 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值。从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态。石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求,贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片,长边为 X 轴,短边为 Z 轴,面为 Y 轴。
TXC晶振 |
单位 |
HCR2520晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16MHZ |
标准频率 |
包装规格 |
mm |
180 |
最小订购单位:3000 |
工作温度 |
T_use |
-40°C~+105°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
300μW Max. |
推荐:1~300μW |
频率公差 |
f_— l |
±100×10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
(±100)×10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
100Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
频率老化 |
f_age |
±5×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
辐射:将石英贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。 粘合剂:请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。) 村田晶振,HCR2520晶振,XRCHA16M000F0A01R0晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行晶振安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度: 温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
耐焊性:将无源晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
1.驱动能力:驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其2520金属面石英晶振计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL).村田晶振,HCR2520晶振,XRCHA16M000F0A01R0晶振
2.测试条件(1)电源电压:超过 150µs,直到2520无源谐振器电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
振荡电路的检查方法振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的谐振器的振荡频率的真实值,2520贴片晶振使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路:探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。2520石英晶体输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。
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