百利通亚陶晶振,贴片晶振,FH1200001晶振
频率:12MHZ
尺寸:2.5*2.0*0.5mm
Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理装置 (包括 LED 驱动器)、AC-DC 转换器与石英晶振控制器、DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与特殊功能装置 (例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器)。小面积晶体谐振器,2520高端智能贴片晶振,FH1200001晶振
百利通亚陶晶振集团将有效率的使用自然资源和能源,以便从源头减少废物产生和排放.我们将在关注于预防环境和安全事故,保护公众健康的同时,努力改进我们的操作.我公司将积极参与加强公众环境、健康和安全意识的活动,提高公众对普遍的环境、健康和安全问题的注意. 所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.百利通亚陶晶振集团消除事故和环境方面的偶发事件,减少晶体谐振器、普通晶体振(SPXO)材料废物的产生和排放,有效的使用能源和各种自然资源,对紧急事件做好充分准备,以便及时做出反应.
百利通亚陶晶振,贴片晶振,FH1200001晶振,小体积贴片2520mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶体谐振器通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计( a、球面的余弦磨量; b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算)。小面积晶体谐振器,2520高端智能贴片晶振,FH1200001晶振
亚陶晶振 |
单位 |
FH1200001晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
12.000MHz |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-20°C~+70°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10μW Max. |
推荐:1μW~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30×10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30~±50× 10-6/-40°C ~+85°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
20pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 (请参阅芯片组的规格)Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是石英四脚晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:线路连接的电阻(R)与晶体串联,百利通亚陶晶振,贴片晶振,FH1200001晶振
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果无源SMD晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。
采用具有较低电阻(RR)的贴片石英晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路。但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助,如果你的问题不能得到解决。系统无法运行,因为晶体没有足够的输出波形振幅。小面积晶体谐振器,2520高端智能贴片晶振,FH1200001晶振
振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制2520mm晶振流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。百利通亚陶晶振,贴片晶振,FH1200001晶振
适当的控制2520四脚SMD石英晶振电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
驱动能力:驱动能力说明进口石英晶体振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流,Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过进口晶体谐振器电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。
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