鸿星晶振,32.768K圆柱晶体,ETDA晶振
频率:32.768KHz
尺寸:2.0*6.0mm
Hosonic专注于自己的核心技术和鼓励员工的创造力,创新和团队合作。自1979以来,我们一直致力于双直插封装(DIP)和表面贴装器件(SMD)石英晶体的研究、设计、制造和销售。现在,它拥有四个生产设施在中国大陆东、南、和九个销售和FAE位点和十个销售代表和经销商在世界各地。因此鸿星建立有机学习成长的平台,激励跨单位团队合作的活动,要为更好的环境与产品不断的改善。
鸿星晶振集团保持就健康安全环境问题与临近摄取进行对话.通过在环境控制方面实施优秀的管理实践,以保护环境和全球运作相关的自然资源.向员工灌输环境价值观,在所有的晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振产品和生产过程中应用最佳环境实用技术,为全球可持续发展做出贡献.
鸿星晶振,32.768K圆柱晶体,ETDA晶振.插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性.
鸿星石英晶振的切型。采用高速线切割技术:1.优化及严格规范线切割机各项设备参数;2.通过试验精选所使用的各类线切割料,如:磨料、线切割线、槽轮等;3.确认最优的石英晶振切割工艺参数。通过以上方法使切割出的贴片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式,提高了石英晶振晶片的精度,提高了生产效率。
鸿星晶振 |
单位 |
ETDA晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-20°C~+70°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C ~+60°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
1μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-10°C ~+60°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12.5PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-10°C — +60°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶体谐振器或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。鸿星晶振,32.768K圆柱晶体,ETDA晶振
静电
过高的静电可能会损坏无源晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明插件晶振所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加2*6圆柱型音叉晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致2*6mm石英晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。鸿星晶振,32.768K圆柱晶体,ETDA晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
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