E8WSDC12-32.768K晶振,进口32.768K石英晶体,金属壳二脚贴片晶振

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ECLIPTEK晶振,3215时钟晶体,E8WSDC12-32.768K晶振

频率：32.768KHz

尺寸：3.2*1.5*0.9mm

贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

订购热线：0755-27837162

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凭借先进的设备一流的技术以及公司训练有素的服务团队,多方面的满足各领域客户的不同需求,从而成为晶振行业内的最佳资源之一.服务是Ecliptek日蚀晶振成功的基石.我们时时为客户着想,尽力满足并超越客户对于我们的石英晶振,贴片晶振,电压晶体元件,晶体振荡器,有源晶振等产品的质量要求以及服务价值.作为良好的企业市民,遵循本公司的行动方针,充分关心维护地球环境.遵守国内外的有关环保法规.
对我们的有源晶振,压控振荡器,贴片晶振, 晶体谐振器、普通晶体振荡器（SPXO）、温补晶振、压控晶体振荡器（VCXO）进行检验,同时告知我们的员工顾客以及公众,如何安全的使用,如何使用对环境影响较小,帮助我们的雇员合同方商业伙伴服务提供上理解他们的行为如何影响着环境.所有的经营组织都将积极应用国际标准以及适用的法律法规.为促进合理有效的公共政策的制订实施加强战略联系.

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ECLIPTEK晶振,3215时钟晶体,E8WSDC12-32.768K晶振.产品本身具有小型,薄型,轻型的贴片晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
日蚀石英晶振的切型。采用高速线切割技术：1.优化及严格规范线切割机各项设备参数；2.通过试验精选所使用的各类线切割料，如：磨料、线切割线、槽轮等；3.确认最优的石英晶振切割工艺参数。通过以上方法使切割出的贴片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生产效率。E8WSDC12-32.768K晶振,进口32.768K石英晶体,金属壳二脚贴片晶振

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日蚀晶振	单位	E8WSDC12-32.768K晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ~+85°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ~ +85°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW Max.	推荐:1μW ~100μW
频率公差	f_— l	±20 × 10-6 (标准)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-40°C ~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF	超出标准说明,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-0°C~ +70°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触IC的表面。ECLIPTEK晶振,3215时钟晶体,E8WSDC12-32.768K晶振
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用时钟晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致32.768K晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。E8WSDC12-32.768K晶振,进口32.768K石英晶体,金属壳二脚贴片晶振
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡美国进口晶振频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

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设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明32.768K贴片晶振所需电功率，其计算公式如下：
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流，
Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。ECLIPTEK晶振,3215时钟晶体,E8WSDC12-32.768K晶振

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2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加3215mm晶振振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。

3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致32.768K进口晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。E8WSDC12-32.768K晶振,进口32.768K石英晶体,金属壳二脚贴片晶振

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