鸿星晶振,陶瓷面晶体,E3FB晶振
频率:10.000MHz~115.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.9mm
公元1991年于台湾投入石英晶体之研发制造、1991年鸿星电子开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处。鸿星集团,现在,是一家专业生产石英晶体谐振器、晶体振荡器制造商在世界上。自1979以来,我们一直致力于双直插封装(DIP)和表面贴装器件(SMD)石英晶体的研究、设计、制造和销售。
优秀同仁是公司无价的资产,也是公司成长发展的伙伴,更是维系公司竞争力与创造价值的命脉。在以人为本,充分尊重人性的理念上,我们以沟通来达成共识,以相互尊重维系组织和谐气氛,创造适性的工作环境,让鸿星成为一个高度凝聚力的大家庭。
鸿星晶振,陶瓷面晶体,E3FB晶振.3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.3225陶瓷面晶振,无源压电石英晶体谐振器,E3FB晶振
鸿星晶振高精密点胶技术:石英晶振晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使石英晶振晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。将被上银电极的晶片装在弹簧支架上,点上导电胶,并高温固化,通过弹簧即可引出电信号。
鸿星晶振 |
单位 |
E3FB晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
10.000MHZ~115.000MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。3225陶瓷面晶振,无源压电石英晶体谐振器,E3FB晶振
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。3225陶瓷面晶振,无源压电石英晶体谐振器,E3FB晶振
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。鸿星晶振,石英晶振,E1SB晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
微信公众号:CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振
邮箱:jinluodz@163.com
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JLX-PD
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