KDS晶振,贴片晶振,DX1008JS晶振,水晶振动子
频率:48.000MHz~120.000MHz
尺寸:1.0*0.8*0.13mm
1.0*0.8mm体积非常小的贴片石英晶振器件,是民用小型无线数码产品的佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高的精度和高的频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品好的选择,符合RoHS/无铅.
KDS石英晶振以优良的产品迅速占领了中国市场,KDS品牌以在国内电子元件中深入民心,KDS晶振以专业化系统在全国各地的工厂生产.KDS以高超的生产技术,一流的生产设备,KDS晶振产品价格 “更便宜,更快,更好的产品”,节省劳动力,自动化生产设施的优势,以满足交货时间和需求是你选择KDS品牌最佳的或者伙伴.
KDS还拥有遍布全球的销售网络,另外在大陆地区有极少数的代理商.深圳市金洛电子有限公司是其较早的代理,该司在上海、深圳、苏州和香港以及美国等地设有办事机构,能快速准确的为客户提供高品质的KDS产品以及优质的服务,在行业内有一定的知名度.自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断,从最初的32.768K晶体为主,到现在以小体积贴片石英晶体振荡器为主,体积已经是全世界OSC振荡器之中最小的.KDS晶振,贴片晶振,DX1008JS晶振,水晶振动子
KDS晶振,贴片晶振,DX1008JS晶振,水晶振动子.此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高的波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高的速的工作效率,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.
石英晶振多层、多金属的溅射镀膜技术:是目前研发及生产高精度、高稳定性石英晶体元器件——石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振该选用何镀材、镀几种材料、几种镀材的镀膜顺序,镀膜的工艺方法(如各镀材的功率设计等)。使用此镀膜方法使镀膜后的晶振附着力增强,贴片晶振频率更加集中,能控制在最小ppm之内。
KDS晶振 |
符号 |
DX1008JS晶振 |
基本信息对照表 |
Crystal标准频率 |
f_nom |
48.000MHz~120.000MHz |
|
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~+85°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-30°C ~+85°C |
KDS晶振特定的温度 |
激励功率 |
DL |
10μW (100μW Max.) |
如你有最大激励功率为100μW需求,请联系我们金洛电子 |
精度 |
f_— l |
±20ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐点温度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
负载电容 |
CL |
8pF,10pF,12pF |
可按客户需求指定 |
串联电阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
频率老化 |
f_age |
±5×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
1.电源旁路电容
使用本产品时,请放置一个约0.01的旁路电容μF,介于电源和GND之间(尽可能靠近产品终端尽可能)。
2.安装表面贴装晶体时钟振荡器
(1)安装电路板后温度快速变化
当安装板的材料为表面安装时陶瓷有晶体时钟振荡器封装膨胀系数不同于陶瓷的膨胀系数材料,焊接的圆角部分可能会破裂,如果受到影响长时间反复发生极端温度变化。你在这样的条件下,建议情况是这样的事先检查过。KDS晶振,贴片晶振,DX1008JS晶振,水晶振动子
(2)通过自动安装进行冲击
当有源晶振被吸附或吸入时自动安装或超过的冲击过程安装振荡器时会发生指定值板,振荡器的特性会改变或恶化。
(3)板弯曲应力
将晶体时钟振荡器焊接到印刷后板,弯曲板可能会导致焊接部分剥落关闭或振荡器封装由于机械应力而破裂。
3.抗跌落冲击力
本目录中的产品设计得非常高抗自由落体冲击(最多三次)。但是,如果错误地将产品从桌子等处丢弃,为确保最佳性能,建议您使用再次测量晶振的性能或您要求我们再次测量它。
4.静电
本目录中的产品使用CMOS IC作为其有源产品元素。因此,在一个环境中处理产品对抗静电的措施拍摄。
5.耐高温
关于耐高温性,使用产品时在温度为+ 125°C的极端环境中超过24小时,产品的所有特点无法保证。要特别注意存放产品在正确的温度范围内。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明石英晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致KDS晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
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