KDS晶振,32.768K晶振,DMX-26晶振
频率:32.768KHZ
尺寸:8.0*3.8mm
日本大真空株式会社,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.主要研发生产:压电石英水晶制品,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器系列.陶瓷制品以及光学制品,其主要的产品还是水晶振动子,刚投资建厂时主打产品便是32.768KHZ系列产品.
KDS晶振,32.768K晶振,DMX-26晶振,32.768K系列产品本身具有体积小,厚度薄,重量轻等特点,此音叉型石英晶体谐振器,晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.
KDS晶振 |
单位 |
DMX-26晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-40°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
200μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗冲击
贴片晶振可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射。
化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解进口晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。 (比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用无源晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。
静电
过高的静电可能会损坏石英晶体谐振器,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。KDS晶振,32.768K晶振,DMX-26晶振
1、振荡电路
晶体谐振器是无源元件,因此受到电源电压、环境温度、电路的影响。
配置、电路常数和衬底布线模式等操作大致分为正常运行和
异常运行。因此,在振荡电路的设计中,先决条件之一是如何确定振荡电路。
晶体谐振器的振动安全稳定。只有在做出了这个决定之后,后续的项目,例如
讨论了频率精度、频率变化、调制度、振荡起始时间和振荡波形。
2。角色的分量与参考值
在振荡电路的设计中,必须认识到个体的作用。
组件.在表1中,以例如振荡电路为例来描述角色。
(图1)使用一个通用的C-MOS IC(74hcuo4ap东芝)。
当反馈电阻(rf)未安装在振荡电路中时,如图所示
表1,即使在振荡功率作用下,谐振器也不会启动振荡。
电路。除非有适当值的电阻器连接,否则振荡不会启动。
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。
振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在
泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。
K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。
限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。
电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。
C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有
给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。
电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括
负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。
?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。
安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和
振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
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