Statek晶振,贴片晶振,CX9VSM晶振,石英谐振器
频率:32.768KHZ
尺寸:4.1*1.5mm
Statek晶振集团所生产的压电石英晶体、有源晶体,温补晶体振荡器(TCXO)、恒温晶体振荡器(OCXO)完全符合ISO14001环境管理体系国际标准的要求,体现了一个适合、三个承诺和一个框架:建造美丽家园——适合于我公司的生产活动、产品以及服务过程的性质.规模与环境影响;持续改进——持续改进环境绩效和环境管理体系的承诺;减少污染,节能降耗——污染预防的承诺;依法治理——遵守现行适用的环境法律、法规和其他要求的承诺;
石英晶体谐振器高精度晶片的切割技术: AT 切型晶振的晶片厚度为:t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度为:t= 2560*n/ f 0,t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片标称频率(KHz) n: 泛音次数.2.6、晶振的腐蚀技术:用酸液腐蚀掉因研磨而产生的破坏层,消除晶片内应力,同时使石英晶振的晶片达到更准确的目标值。腐蚀频率=(1000*(F/N)+(F 2 /N 2 )*PB)*N,F:石英晶振的标称频率。 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.32.768千赫兹时钟晶体,小尺寸4.1*1.5mm封装晶振,CX9VSM晶振
STATEK晶振 |
单位 |
CX9VSM晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
32.768KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-10°C ~+125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
0.5μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C ~ +200°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
9pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是音叉贴片晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)以下说明:32.768千赫兹时钟晶体,小尺寸4.1*1.5mm封装晶振,CX9VSM晶振
振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的谐振器的振荡频率的真实值,使用4115贴片晶振正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。Statek晶振,贴片晶振,CX9VSM晶振,石英谐振器
接触振荡电路:探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过32.768K无源晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。然而,应该注意到,使用这种方法输出波形较小,测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。
振荡补偿:除非在32.768K无源贴片晶振振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
测试条件(1)电源电压:超过 150µs,直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时,探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过4115石英晶振振荡器的放大器时,可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽,以观察波形。(请勿使用该探头的长接地线).
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
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