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村田晶振,贴片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
频率：9MHZ
尺寸：3.2*1.3mm
三脚陶瓷贴片晶振是指晶振内部本身有自带负载电容的陶瓷些振器, “压电陶瓷”, 与CR,LC电路不同,陶瓷振荡子利用的是机械谐振而不是像压电石英晶振一样电谐振的方式起振.这意味着它基本上不受外部电路或电源电压波动的影响.从而可以制作成无需调整的高度稳定的振荡电路.作为微处理器在电路中使时钟振荡器的匹配最适合的元件,并且得到了广泛应用.ZTT三脚晶振产品系列可用于振荡电路设计,无需外部负载电容器,既获得了高密度安装,又降低了成本.
世界经济的前景虽不明朗，但电子设备社会正在迅速、切实地向前发展。而这样的变化也为村田带来了新的商机。村田石英晶振制定了新的“中期构想2018”以及“长期构想”，指明了为电子设备社会的发展做贡献的未来发展之路。自1944年创业以来，村田得到了巨大的发展，在2013年度制定的中期构想最终年度的2015年度，营业额达到了在村田的历史上具有里程碑意义的万亿日元。在此衷心感谢广大客户和各利益相关方长期以来的大力支持。陶瓷M级石英晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
村田晶振,贴片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振,超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及Bluetooth,Wireless LAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除无源晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。
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TXC晶振 |
单位 |
CSTCE晶振 |
石英晶振基本条件 |
|
标准频率 |
f_nom |
9MHZ |
标准频率 |
|
包装规格 |
mm |
180 |
最小订购单位:3000 |
|
工作温度 |
T_use |
-20°C~+80°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
300μW Max. |
推荐:1~300μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±0.5%×10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±0.2%×10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
33pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
40Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
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频率老化 |
f_age |
±0.1%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
每个封装类型的注意事项:(1)陶瓷包装晶振与SON产品:在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂（开裂）。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。村田晶振,贴片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
（2）陶瓷包装石英晶振:在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装石英无源晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。陶瓷封装贴片晶振:在一个不同扩张系数电路板（环氧玻璃）上焊接陶瓷封装贴片晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
（3）柱面式产品:产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂（开裂）,也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当进口石英晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。陶瓷M级石英晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同，可能导致9M三脚压电陶瓷晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差，如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示电路的杂散电容。村田晶振,贴片晶振,CSTCE晶振,CSTCE9M00G55-R0晶振
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过陶瓷贴片晶振振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在三脚贴片晶振电路上的谐振器的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过贴片陶瓷晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
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电话：0755-27837162
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JLX-PD
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