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村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
频率：8MHZ
尺寸：3.2*1.3mm
自1944年创业以来，村田得到了巨大的发展，在2013年度制定的中期构想最终年度的2015年度，营业额达到了在村田的历史上具有里程碑意义的万亿日元。在此衷心感谢广大客户和各利益相关方长期以来的大力支持。陶瓷晶振产品被广泛应用到数码电子产品,家用电器,比如电话机,游戏机等电子产品.村田公司是一家使用性能优异电子原料，设计、制造最先进的电子元器件及多功能高密度模块的企业。不仅是手机、家电，汽车相关的应用、能源管理系统、医疗保健器材等，都有村田公司的身影。
在通信市场，由于智能手机所安装元件的增加，以及载波聚合技术的普及，村田的元件及模块的需求也在不断地提高，今后，通信市场仍将成为村田的一大支柱。为此，我们将通过供应链管理而实现的稳定供应体制，以及范围广泛的产品阵容，为通信市场提供新的晶振产品价值。在通信市场，由于智能手机所安装元件的增加，以及载波聚合技术※的普及，村田的元件及模块的需求也在不断地提高，今后，通信市场仍将成为村田的一大支柱。为此，我们将通过供应链管理而实现的稳定供应体制，以及范围广泛的产品阵容，为通信市场提供新的价值。8MHZ日产陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振,小型表面贴片晶振型,是标准的石英晶体谐振器,适用于宽温范围的电子数码产品,家电电器及MP3,MP4,播放器,单片机等领域.可对应8.000MHz以上的频率,在电子数码产品,以及家电相关电器领域里面发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.
超小型石英贴片晶振晶片的设计：石英晶片的长宽尺寸已要求在±0.00２mm内，由于贴片晶振晶片很小导致晶体的各类寄生波(如长度伸缩振动，面切变振动)与主振动(厚度切变振动)的耦合加强，从而造成如若石英晶振晶片的长度或宽度尺寸设计不正确、使得振动强烈耦合导致石英晶振的晶片不能正常工作，从而导致产品在客户端不能正常使用，晶振的研发及生产超小型石英晶振完成晶片的设计特别是外形尺寸的设计是首要需解决的技术问题，公司在此方面通过理论与实践相结合，模拟出一整套此石英晶振晶片设计的计算机程序，该程序晶振的晶片外形尺寸已全面应用并取得很好的效果。8MHZ日产陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
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TXC晶振 |
单位 |
CSTCE晶振 |
石英晶振基本条件 |
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标准频率 |
f_nom |
8MHZ |
标准频率 |
|
包装规格 |
mm |
180 |
最小订购单位:3000 |
|
工作温度 |
T_use |
-0°C~+70°C |
标准温度 |
|
激励功率 |
DL |
300μW Max. |
推荐:1~300μW |
|
频率公差 |
f_— l |
±0.1%×10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
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频率温度特征 |
f_tem |
±0.08%×10-6/-20°C~+70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
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负载电容 |
CL |
33pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
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串联电阻(ESR) |
R1 |
40Ω |
-20°C~ +70°C, DL = 50μW |
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频率老化 |
f_age |
±0.07%×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:将陶瓷石英晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
所有产品的共同点:1：抗冲击:抗冲击是指进口贴片晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂:请勿使用可能导致日产石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。8MHZ日产陶瓷晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
振荡补偿:除非在陶瓷贴片晶振振荡电路中提供足够的负极电阻，否则会增加振荡启动时间，或不发生振荡。为避免该情况发生，请在电路设计时提供足够的负极电阻。村田晶振,CSTCE晶振,CSTCE8M00G15L99-R0晶振
测试条件:(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过8M晶振振荡器的放大器时，可同时进行测量。(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.
晶体谐振腔的形式模式，但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在基本谐振的情况下（MHz频段）反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器（兆赫频带）的情况下，值取决于IC和频率特性，但在几个范围内。K?-?几十K。在3213超小型压电陶瓷谐振器的案例（kHz频段），需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流，调节负电阻和励磁。电平，防止谐振腔的反常振荡，抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值（RD）取决于谐振器的类型，频带和设备的价值。电容器（C1，C2）。精确值是通过进口陶瓷贴片晶振测量振荡电路的特性来确定的（包括负电阻和驱动级）。AT切割谐振器（兆赫频带）的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器（kHz频段）的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序，在3 pF的范围内- 33 pF左右，仅供参考。
公司名：深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人：茹红青
手机：13510569637
电话：0755-27837162
QQ号：657116624
微信公众号：CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号：晶振石英晶振NDK晶振
邮箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市宝安区41区甲岸路19号
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