3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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西铁城晶振,贴片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

频率：13~54MHZ

尺寸：3.2*2.5*0.55mm

3225mm体积非常小的SMDcrystal器件,是民用小型无线数码产品的最佳选择,小体积的晶振被广泛应用到,手机蓝牙,GPS定位系统,无线通讯集,高精度和高频率的稳定性能,非常好的减少电磁干扰的影响,是民用无线数码产品最好的选择,符合RoHS/无铅.

订购热线：0755-27837162

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西铁城精密装置发挥能力的领域是，小型精密高精度?高精度被要求的功能零部件领域。并且，通过多年建立的独自的技术，不断地提供高附加价值的微设备产品。利用时钟晶振的制作的小型精密零部件的金属加工技术，从工程设计到加工、组装、功能测试过程中的生产线和本公司制造加工机的独自开发，长期供给着小型、高精度的零部件同时，在使用高精度材料的高精度中，效率很好地量产零部件的事也是本公司独自的核心技术。在材料技术和超精密加工技术，薄膜技术，连接技术，组装技术等，使石英和水晶等高精度零部件，产生了液晶装置，传感装置等高质量的功能器件产品。特别是，L - COS（Liquid crystal on silicon）采用了铁电液晶显示器，已经微高品位相机配备到前进了很高的评价。今后的车载显示屏和头部显示屏等的次世代显示器系统搭载的可能性很大。
2009年度,根据环境管理体系中的规定,西铁城晶振集团在其日本国内的所有事业所和海外的所有生产基地中,建立了西铁城晶振,贴片石英晶体,石英晶体谐振器,西铁城振荡子绿色经营活动的框架,通过共享与绿色经营有关的信息,致力于开展有效的和实际效果大的环保活动,并强化企业的管治能力.2006年度,西铁城晶振在国内外的所有生产据点以及国内的非生产据点——西铁城制作所总公司、东京分公司、营业所,均取得了ISO14001认证.此后,西铁城石英晶振努力开展体系整合,并于2007年3月在国内集团的34个据点完成了向ISO14001多站认证的转变.3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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西铁城晶振,贴片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振,3225mm体积贴片晶振适用于汽车电子领域的表面贴片型石英晶振,本产品已被确定的高信赖性最适合用于汽车电子部件,晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,晶振本身具有耐热,耐振,耐冲击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
石英晶振的研磨技术：通过对晶振切割整形后的晶片进行研磨，使石英晶振的晶片达到（厚度/频率）的一定范围。进口石英晶振晶片厚度与频率的关系为：在压电晶体行业，生产晶振频率的高低是显示鸿星技术水平的一个方面，通过理论与实际相结合，累积多年的晶振研磨经验，通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术，注重贴片晶振研磨过程的各种细节，注重晶振所用精磨研磨设备的选择；注重所使用水晶、研磨砂的选择等；注重石英晶振研磨用工装如：游轮的设计及选择，从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制，最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄，贴片晶振晶片的频率越来越高，为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础，提升了晶振厂家的竞争力，使晶振厂家高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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西铁城晶振	单位	CS325H晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	13~54MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	10~100μW Max.	推荐:10~100μW
频率公差	f_— l	±10× 10-6 (标准)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±20× 10-6/-40°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	16,18pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
频率老化	f_age	±1× 10-6 /year Max.	+25°C,第一年

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CS325H JLX-4

一般来说，微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下：镉和CG是外部负载电容，其中已建成的芯片组。（请参阅芯片组的规格）Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。它的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路，但仅用于具有高电源电路。一个稳定的振荡电路需要的负电阻，其值应是3225晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如，为了获得稳定的振荡电路中，IC的负电阻的值必须小于？200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下，例如老化，热变化，电压变化，以及等等，电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此，这是非常重要的衡量负电阻（-R）以下说明：线路连接的电阻（R）与晶体串联,西铁城晶振,贴片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。（3）振荡期间测量R的值。（4）你将能够获得负电阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。如果无源晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有较低负载电容（CL）。3225SMD石英晶振,CS325H晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振
采用具有较低电阻（RR）的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司SMD石英晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为晶体没有足够的输出波形振幅。

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此外，进口3225贴片晶振振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外，振荡频率较低。西铁城晶振,贴片晶振,CS325H-44.000MEDQ-UT晶振

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振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在电路上的谐振器的振荡频率的真实值，3225四脚无源晶振使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。接触振荡电路。
探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过麦克风SMD晶振输入振荡电路的输出来测量的。逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。

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