CMR200T32768DZFT晶振,32.768K弯角插件晶振,CMR200T晶振

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西铁城晶振,石英晶振,CMR200T晶振

频率：32.768KHz

尺寸：2.0*6.0mm

插件石英晶振最适合用于比较低端的电子产品,比如儿童玩具,普通家用电器,即使在汽车电子领域中也能使产品高可靠性的使用.并且可用于安全控制装置的CPU时钟信号发生源部分,好比时钟单片机上的石英晶振,在极端严酷的环境条件下,晶振也能正常工作,具有稳定的起振特性,高耐热性,耐热循环性和耐振性等的高可靠性能.

订购热线：0755-27837162

晶振技术参数点击下载

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西铁城晶振公司为工业市场提供高性能和精密设备,不断开发新技术和新技术在我们的制造业和工程.我们有一个良好的信誉在市场上特别是对我们的晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振等高精密零件使用我们自己的核心技术和脆性材料和微显示高清图片是必需的.西铁城精密装置发挥能力的领域是，小型精密高精度，高精度被要求的功能零部件领域。并且，通过多年建立的独自的技术，不断地提供高附加价值的微设备产品。西铁城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
西铁城在音叉水晶表晶振动子（石英晶振）这一领域也是遥遥领先的，与日本元器件品牌爱普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西铁城石英晶振murata,并称世界日产五大品牌。截止2010年底，已发展为以钟表为主业，多种经营的集团性跨国大公司，年销售额约三十八亿美元。西铁城自成立以来，一直在钟表行业处于领先地位，创造了诸多世界第一。

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西铁城晶振,石英晶振,CMR200T晶振.32.768K时钟晶体具有小型,薄型,轻型的插件型晶振表面音叉型晶体谐振器,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.
西铁城石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。CMR200T32768DZFT晶振,32.768K弯角插件晶振,CMR200T晶振

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西铁城晶振	单位	CMR200T晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHz	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:1.0μW
频率公差	f_— l	±20× 10^-6 (标准)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息, http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±20× 10^-6/-40°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
频率老化	f_age	±3× 10^-6 /year Max.	+25°C,第一年

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操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具，夹具直接接触32.768K弯角晶振的表面。
使用环境（温度和湿度）
请在规定的温度范围内使用高精度晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下，会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。西铁城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力，会导致进口音叉晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同，可能导致音叉水晶振子振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。CMR200T32768DZFT晶振,32.768K弯角插件晶振,CMR200T晶振