微晶晶振,贴片晶振,CM8V-T1A晶振,2012贴片晶振

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微晶晶振,贴片晶振,CM8V-T1A晶振,2012贴片晶振

频率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2*0.35mm

体积SMD时钟晶体谐振器,是贴片音叉晶体,千赫频率元件,应用于时钟模块,智能手机,全球定位系统,因产品本身体积小,SMD编带型,可应用于高性能自动贴片焊接,被广泛应用到各种小巧的便携式消费电子数码时间产品,环保性能符合无铅标准。

订购热线：0755-27837162

微晶2012晶振在瑞士、泰国建有生产中心，及遍布世界各地的代表处。我们所有的产品都得到ISO9001和ISO14001的认证，并达到RoHS，REACh等规范的要求。为世界一流的终端产品制造商提供从设计到量产的全方位支持，服务范围涵盖手机、计算机、汽车电子、手表、工业控制、植入式医疗及其他高可靠性产品。就原则而言，以下内容被认为是MC供应的一部分链，即电子制造服务（EMS）公司和原始设计制造商（ODM）包括承包劳动，设计，市场，生产和/或提供用于生产MC电子产品的货物和服务。
瑞士大微晶晶振遵守法规和监管要求，从事环保产品的开发。环境政策，在其业务活动的所有领域，从开发、生产和销售的压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体、压电陶瓷谐振器，集团业务政策促进普遍信任的环境管理活动。微晶晶振集团认识到进行环境管理和资源保持的责任和必要性,同时也认识到针对全球环境问题,为保持国际环境而进行各行业建设性的合作是极其重要的。过去微晶晶振集团已经针对重大污染控制项目建立了一整套记录程序并且将继续识别解决其自身环境污染及保持问题,加强责任感以便进行环境绩效的持续改进。

微晶晶振,贴片晶振,CM8V-T1A晶振,2012贴片晶振,贴片石英晶体谐振器，又简称为排带包装，这是这产品采用排带盘式包装，使产品在焊接时能采用SMT自动贴片机高速的焊接，大大节约人工，提高工作效率。32.768KHZ目前SMD品种有几款产品在智能手环中发挥最大的作用呢？以下几款对比产品：爱普生晶振品牌FC-12M，精工晶体的品牌SC-20S，西铁城晶振的CM-212H，日本大真空晶体品牌DST210A等以上几款32.768K均是目前市场上最为常用的小尺寸贴片晶振，外观尺寸2.0*1.2*0.5mm体积还不足一立米大小。
注意：在石英晶体谐振器晶体测量中各个厂家的仪器会存在一定的差距（误差），所以应对晶振晶体测试仪器做特别管制。尤其是小公差产品。目前本公司的标准仪器在品管部。DIP 产品为 250A，SMD产品为 250B。品管部应对公司内每台单机每个月进行一次校对。自动测试机用平移法进行测试。同时保留和记录与不同客户之间的误差。在生产中用平移法解决。高精度的频率、电阻的测量技术：引进一批先进的检测仪器，准确度达到±1ppm（国标标准）。在测量应用上制定一套标准的测量方法保证测量的准确性、仪器的精度、测试的一致性。

微晶晶振	单位	CM8V-T1A晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768KHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C~+85°C	标准温度
激励功率	DL	0.5μW Max.	推荐:0.5μW
频率公差	f_— l	±20、±100× 10-6 (标准)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	4,6,7,9,12.5PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
频率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

CM8V-T1A 0.3 2012

请测量使用示波器或频率计数器石英晶振的两个端子的信号，如果频率不在规定范围内，它的输出波形的幅度是不够的（例如超过+/-200ppm的），请按照步骤2-3步骤2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:该公式的电容与频率是如下：微晶晶振,贴片晶振,CM8V-T1A晶振,2012贴片晶振

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该曲线代表电容变化与频率变化（频率pullability）变化的变化：

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如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后，石英谐振器点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过晶体具有较低负载电容（CL）。方法2：采用小电阻（RR）的晶体。方法3：使用镉和CG的不等价的设计。

1. 驱动能力:驱动能力说明石英晶体振荡器晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re,其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。微晶晶振,贴片晶振,CM8V-T1A晶振,2012贴片晶振

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2.测试条件:电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。其他：输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过2012mm晶振振荡器的放大器时，可同时进行测量。其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线。）

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3.角色的分量与参考值:在振荡电路的设计中，必须认识到个体的作用。组件.在表1中，以例如振荡电路为例来描述角色。（图1）使用一个通用的C-MOS IC（74hcuo4ap东芝）。当反馈电阻（rf）未安装在振荡电路中时，如图所示表1，即使在振荡功率作用下，无源石英晶体谐振器也不会启动振荡。电路。除非有适当值的电阻器连接，否则振荡不会启动。

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