西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶体
频率:32.768KHz
尺寸:8.0*3.8mm
大多数人只知道日本西铁城公司是做手表,时钟产品类的,其实西铁城公司是一个集团公司,公司有很多个分公司,也生产很多种产品,比如石英晶振系列也是西铁城的主打产品之一,而且早在2001年就在中国建厂以生产石英晶体表晶32.768KHZ系列为主,当然最出名的,深入中国人脑海里的还是西铁城的钟表了。CM200C晶振,陶瓷面进口石英晶体谐振器,32.768K无源贴片晶振
西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶体,该款晶振产品的体积是8.0*3.8mm,属于大尺寸的石英晶体谐振器,是32.768K晶振中体积较大的一款,但却没有因此影响使用效果,通过了德国晶振协会的ROHS认证,是值得信赖的环保型晶振.
符号 |
CM200C晶振 |
西铁城晶振基本信息对照表 |
|
Crystal标准频率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
储存温度 |
T_stg |
-55°C — +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C — +85°C |
西铁城晶振特定的温度 |
激励功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激励功率为1.0μW 需求,请联系我们金洛电子 |
精度 |
f_— l |
±20 ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐点温度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
负载电容 |
CL |
7pF, 9pF, 12.5pF |
可按客户需求指定 |
串联电阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
频率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C, 第一年 |
超声波清洗
(1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶体
(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。
(3)请勿清洗开启式产品
(4)对于可清洗产品,应避免使用可能对产品产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
(5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响产品的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用进口晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。CM200C晶振,陶瓷面进口石英晶体谐振器,32.768K无源贴片晶振
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
1.驱动能力
驱动能力说明无源晶振CM200C所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2 Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶体
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加CM200C贴片晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。CM200C晶振,陶瓷面进口石英晶体谐振器,32.768K无源贴片晶振
其中CS表示电路的杂散电容。
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
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JLX-PD
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