微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
频率:30.000KHz~1000.000KHz
尺寸:5.0*1.9*0.9mm
微晶在瑞士、泰国建有生产中心,及遍布世界各地的代表处。我们所有的产品都得到ISO9001和ISO14001的认证,并达到RoHS,REACh等规范的要求。微晶玻璃(MC)的管理、环境与社会责任原则执行(MES)大纲标准,以确保MC设备的工作条件,以及供应链合作伙伴的活动支持MC的要求,是安全的,工人是尊重和尊严对待,以及制造过程使用MC和它的作伙伴对环境负责。5.0*1.9千赫兹石英晶体,32.768K无源谐振器,CC4V-T1A晶振
而今,微晶晶振已经发展成为一家在微型音叉式石英晶体(32kHz ~ 250MHz)、实时时钟模块、晶振和OCXO等多个领域的领导供货商,通过不断改进技术,过程、产品、服务、质量、环境保护、安全和安全方面,微晶也将保持其在未来的市场地位。
微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振.5.0*1.9mm超小型表面贴片型SMD晶振,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准,焊接方面支持表面贴装.
微晶石英晶振的切割设计:用不同角度对晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。
微晶晶振 |
单位 |
CC4V-T1A晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
30.000KHZ~1000.000KHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
1.0μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±100 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
6.0PF~12.5PF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
机械振动的影响
当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如:压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管石英晶体谐振器产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。5.0*1.9千赫兹石英晶体,32.768K无源谐振器,CC4V-T1A晶振
PCB设计指导
(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于音叉晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。
(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。
(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。
(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
存储事项
(1)在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存进口贴片晶振产品时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
正常温度和湿度:
温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。
(2)请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明微晶贴片晶振振荡晶体单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2_Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。微晶晶振,32.768K晶振,CC4V-T1A晶振
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加陶瓷面两脚晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致5019mm压电石英晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。5.0*1.9千赫兹石英晶体,32.768K无源谐振器,CC4V-T1A晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
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QQ号:657116624
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JLX-PD
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