KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振
频率:3.579~28MHZ
尺寸:8.8*3.0mm
当你正在为晶振品牌而偏头痛时,然而金洛电子作为日本大真空株式会社,(KDS)品牌的正规代理商,在此告诉你,选择KDS晶振的品牌是你放心的决策.KDS晶振所有的产品均符合欧盟环保标准,KDS内部采用严格的管理制度,以地球环保为理念,所有生产的石英晶振产品都是以尽可能的减少对地球的污染,所以KDS产品都是无铅环保化.KDS还拥有遍布全球的销售网络,另外在大陆地区有极少数的代理商.深圳市金洛电子有限公司是其较早的代理,该司在上海、深圳、苏州和香港以及美国等地设有办事机构,能快速准确的为客户提供高品质的KDS产品以及优质的服务,在行业内有一定的知名度.圆柱DIP石英晶振,耐振石英晶体谐振器,AT-38晶振
请选择正规【KDS晶振代理商金洛电子】产品特点贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器(偏差大)和普通的石英晶体谐振器(偏差小)的中间领域的一种性价比较出色的产品.产品广泛用于笔记本电脑,无线电话,卫星导航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合无铅焊接的高温回流焊曲线特性.
KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
超小型、超低频石英晶振晶片的边缘处理技术:是超小型、超低频石英晶振晶体元器件研发及生产必须解决的技术问题,为压电石英晶振行业的技术难题之一。具体解决的办法是使用高速倒边方式,通过结合以往低速滚筒倒边去除晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使石英晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动不稳定。圆柱DIP石英晶振,耐振石英晶体谐振器,AT-38晶振
KDS晶振 |
符号 |
AT-38晶振 |
基本信息对照表 |
Crystal标准频率 |
f_nom |
3.579~28MHz |
|
储存温度 |
T_stg |
-30°C ~+80°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
KDS晶振特定的温度 |
激励功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激励功率为1.0μW需求,请联系我们金洛电子 |
精度 |
f_— l |
±30,±50,±100ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
拐点温度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
负载电容 |
CL |
8pF,10pF,12pF,16pF |
可按客户需求指定 |
串联电阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
频率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组。 Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻。晶振的内置芯片一般设置。Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?。这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路。 KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是圆柱石英晶振阻力的至少五倍。它可写为|-R|>5的Rr。例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶振电阻值是40Ω。负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量。在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的。因此,这是非常重要的衡量负电阻(-R)线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值。(3)振荡期间测量R的值。(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值。如果晶振的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过石英圆柱插件晶振低驱动电路。如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有较低负载电容(CL)。采用具有较低电阻(RR)的晶振。使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。圆柱DIP石英晶振,耐振石英晶体谐振器,AT-38晶振
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出圆柱晶振测量三.通过电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。 KDS晶振,石英晶振,AT-38晶振,进口插件晶振
振荡开始代替。在基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在音叉型石英晶体谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,插件MHZ晶体频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致MHZ圆柱晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。
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