大体积椭圆型SMD晶振,金属面假贴片49SMD晶体,ASA-SMD晶振

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Raltron晶振,贴片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振

频率：3~80MHZ

尺寸：13.5*4.8mm

普通贴片石英晶振外观使用金属材料封装的,具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,晶振外观本身使用金属封装,充分的密封性能,可确保其高可靠性,采用编带包装,外包装采用朔胶盘,可在自动贴片机上对应自动贴装等优势.

订购热线：0755-27837162

成立于迈阿密，在1983年，Raltron电子公司已经发展成为其中之一公认的石英晶振经验丰富的频率管理产品制造商在世界各地。从简单音叉晶体到高稳定性控制晶体振荡器，Raltron提供最多全行业的频率管理设备。公司对研发的承诺使得不断创造领先边缘晶体和振荡器器件和技术多年。今天，拉尔特龙提供高性能频率控制解决方案满足和超越客户的期望价格，质量，应用工程和客户支持。大体积椭圆型SMD晶振,金属面假贴片49SMD晶体,ASA-SMD晶振
Raltron通过全球独立销售网络为全球客户提供支持代表以及亚洲的几个附属办事处，战略地位于主要客户附近和市场。该公司的产品由几家大型全球经销商分销目录房屋以及区域经销商处理具体的市场.为了满足快速增长的无线应用市场的需求，Raltron也将其定位作为一个完整的解决方案供应商，在其SMD晶体和振荡器中添加SAW器件和LTCC滤波器发行。该公司还为同一市场开发了完整的天线产品系列。

Raltron晶振,贴片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振,普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机告诉安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
晶振的真空封装技术：是指石英晶体谐振器在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一。石英晶振在选用晶片时应注意温度范围、晶振温度范围内的频差要求，贴片晶振温度范围宽时(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄温(-10℃-70℃)切割角度应略高。对于晶振的条片，长边为 X 轴，短边为 Z 轴，面为 Y 轴。大体积椭圆型SMD晶振,金属面假贴片49SMD晶体,ASA-SMD晶振

Raltron晶振	单位	ASA-SMD晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	3.000MHz~80.000MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C~+105°C	标准温度
激励功率	DL	100~500μW Max.	推荐:100~500μW
频率公差	f_— l	±50×10-6 (标准), (±10×10-6~±50×10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.quartzcrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±10~±50×10-6/-20°C~+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF~32pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+60°C, DL=100μW
频率老化	f_age	±5×10-6/year Max.	+25°C,第一年

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无源晶振产品使用每种产品时,请在石英晶振规格说明或产品目录规定使用条件下使用。因很多种晶振产品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事项也有所不同,比如焊接模式,运输模式,保存模式等等,都会有所差别。所有产品的共同点,Raltron晶振,贴片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振
1：抗冲击:抗冲击是指贴片封装晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。 2：辐射:将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。 3：化学制剂 / pH值环境:请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。
4：粘合剂:请勿使用可能导致进口石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。（比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。） 5：卤化合物:请勿在卤素气体环境下使用晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。6：静电:过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。大体积椭圆型SMD晶振,金属面假贴片49SMD晶体,ASA-SMD晶振

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驱动能力:驱动能力说明49/S晶体谐振器振荡晶体单元所需电功率，其计算公式如下：驱动能力 (P) = i2?Re其中i表示经过晶体单元的电流，Re表示晶体单元的有效电阻，而且Re=R1（1+Co/CL）.Raltron晶振,贴片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振

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测试条件(1)电源电压:超过 150µs，直到电压级别从 0 %达到 90 % 。电源电压阻抗低于电阻 2Ω。(2)其他:输入电容低于 15 pF5倍频率范围或更多测量频率。铅探头应尽可能短。测量频率时，探头阻抗将高于 1MΩ。当波形经过进口贴片晶振振荡器的放大器时，可同时进行测量(3)其他:CL包含探头电容。应使用带有小的内部阻抗的电表。使用微型插槽，以观察波形。（请勿使用该探头的长接地线）.

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振荡频率测量:必须尽可能地测量安装在49S贴片晶振电路上的谐振器的振荡频率的真实值，使用正确的方法。在振荡频率的测量中，通常使用探头和频率计数器。然而,我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。有三种频率测量模式，如下面的图所示（图）。2, 3和4）。最精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路:探针不影响图2，因为缓冲器的输出是通过49SMD晶振输入振荡电路的输出来测量的逆变器进入下一阶段。探针不影响图3，因为在IC上测量缓冲器输出（1/1、1/2等）。图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况，由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。输出点之间的电容（3 pF以下XTAL终端IC）和探针。然而，应该注意到，使用这种方法输出波形较小，测量不能依赖于即使示波器能检查振荡波形，频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下，使用放大器来测量。

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