Raltron晶振,插件晶振,AS晶振
频率:3.500MHz~70.000MHz
尺寸:11.4*4.5mm
Raltron公司对研发的承诺使得不断创造领先边缘石英晶体谐振器和振荡器器件和技术多年。今天,拉尔特龙提供高性能频率控制解决方案满足和超越客户的期望价格,质量,应用工程和客户支持Raltron公司正在其迈阿密,佛罗里达州开发和制造精密振荡器。设施,而简单的水晶谐振器,时钟振荡器和滤波器以及天线。
RALTRON晶振集团为确保安全、提高保护预防措施、贴片晶振的可靠性以及职业安全,确保职业健康与环境的优越性,通过正式的管理评审和对健康、安全和环境实施效果的持续改进,保护人群及财产与环境。
Raltron晶振,插件晶振,AS晶振.插件型焊接型石英晶体元件.工厂仓库长时间大量库存常用频点,.高精度的频率和晶振本身更低的等效串联电阻.常用负载电容,49/S石英晶振,因插件型镜头成本更低和更高的批量生产能力.主要应用于电视,机顶盒,LCDM和游戏机家用常规电器数码产品等的最佳选择.符合RoHS/无铅.11.4*4.5mm插件晶振,49S型DIP引脚晶体,AS晶振
拉隆石英晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英贴片晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
Raltron晶振 |
单位 |
AS晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
3.500MHZ~70.000MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +85°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
500μW Max. |
推荐:1μW ~ 100μW |
频率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6 (标准), |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
10pF~32pF |
不同负载电容要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。Raltron晶振,插件晶振,AS晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用进口晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致无源晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。11.4*4.5mm插件晶振,49S型DIP引脚晶体,AS晶振
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致贴片石英晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
设计振荡回路的注意事项
1.驱动能力
驱动能力说明引脚型石英晶振单元所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2?Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示晶体单元的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。Raltron晶振,插件晶振,AS晶振
2.振荡补偿
除非在插件石英晶振振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
3. 负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致49S封装晶体振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示电路的杂散电容。11.4*4.5mm插件晶振,49S型DIP引脚晶体,AS晶振
频率和负载电容特征图器
振荡回路参数设置参考
公司名:深圳市金洛鑫电子有限公司
联系人:茹红青
手机:13510569637
电话:0755-27837162
QQ号:657116624
微信公众号:CITIZENCRYSTAL
搜狐公众号:晶振石英晶振NDK晶振
邮箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市宝安区41区甲岸路19号
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