Abracon晶振,贴片晶振,ABM10W晶振,石英晶体谐振器
频率:16~50MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
较低的CL和较低的ESR提高了回路的运行增益裕度,确保了所有变量的持续振荡,包括偏差,负载,温度和时间变化。 Gm_critical是晶振必须实现的关键跨导值,以保持在环路运行的安全区域。不符合gm_critical的晶体与Pierce振荡器不匹配,并可能导致与启动相关的长期可靠性问题。由于给定的Pierce振荡器的功耗降低gm和gm_crictical,部署在物联网和可穿戴应用中的节能设计最有可能发生故障。进行PAS测试可降低风险并提高系统的可靠性。
由于大多数Pierce振荡器的跨导(gm)继续向前所未有的低水平下降,所以ABRACON石英晶体不仅被迫尺寸较小,而且还提供非常低的电镀负载(CL)和低等效串联电阻(ESR)参数选项。满足节能MCU和RF芯片组要求的最低gm_critical要求取决于保持低CL,ESR和C0参数的保证。这需要在晶体上采用新的非平凡电镀设计,同时降低CL和ESR,并且仍然可以保证低温度和老化效应的规格。ABRACON新的石英晶体电镀设计使得下一代Pierce振荡器能够在能够保持振荡的情况下运行在烟雾上。电子行业有一个非常一致的趋势,直接取决于时间 - 随着技术越来越小,功耗降低的需求越来越高。解决石英晶体设计要求,取决于行业需求,已经成为至关重要的。
Abracon晶振,贴片晶振,ABM10W晶振,石英晶体谐振器,2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.
通过深入细致地完善石英晶振研磨工艺技术,注重贴片晶振研磨过程的各种细节,注重晶振所用精磨研磨设备的选择;注重所使用水晶、研磨砂的选择等;注重石英晶振研磨用工装如:游轮的设计及选择,从而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、弯曲度都有很好的控制,最终使可研磨的石英晶振晶片的厚度越来越薄,贴片晶振晶片的频率越来越高,为公司在高频石英晶振的研发生产打下坚实基础,提升了晶振厂家的竞争力,使晶振厂家高频石英晶振的研发及生产领先于国内其它公司。
Abracon晶振 |
单位 |
ABM10W晶振 |
石英晶振基本条件 |
标准频率 |
f_nom |
16~50MHZ |
标准频率 |
储存温度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
-40°C ~ +125°C |
标准温度 |
激励功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推荐:10~100μW |
频率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (标准) |
+25°C 对于超出标准的规格说明, |
频率温度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出标准的规格请联系我们. |
负载电容 |
CL |
4pF |
不同负载要求,请联系我们. |
串联电阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
频率老化 |
f_age |
±2× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
这些晶振知识介绍是指,陶瓷面晶振在产品上线之后发生不良品或者没反应的情况下,自检办法。石英晶振如果在电路上的功能不规则或根本无法全部晶振找出得到了应用操作,请使用以下的清单找出可能存在的问题。请按照确定的因素和可能的解决方案的说明。我们从晶振使用输出无信号开始寻找相关问题。Abracon晶振,贴片晶振,ABM10W晶振,石英晶体谐振器
我们可以先使用示波器或者频率计数器来检查石英晶体谐振器终端的两个信号,如果没有信号输出,请按照步骤1-1到1-4步执行检查。如果有从石英晶振(XOUT)的输出端子的输出信号,而是从在终端(辛)输出没有信号,请检查石英晶振体以下step1-5到步骤1-6。
你可以先把晶体卸载下来并测试晶振的频率和负载电容,看看他们是否能振动,也可以使用专业的石英进口晶体测试仪器来检测 。如果你没法检测你也可以将不良品发送给我公司,我们检测分析之后告诉你结果。如果有下列情况发生,晶振不起振,首先你先查看你产品上使用的负载电容CL是否对,是否跟你的线路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把产品发送回我公司分析。如果晶振频率和负载电容跟要求相对应的话,我们将需要进行等效电路测试。比如等效电路测试如下:
此外,振荡频率与测量点不同。1。测量缓冲输出2。振荡级输出测量三.通过2520四脚贴片晶振电容器测量振荡级输出图5示出以上1-3个测量点和所测量的除缓冲器输出外,振荡频率较低。Abracon晶振,贴片晶振,ABM10W晶振,石英晶体谐振器
晶体谐振腔的形式模式,但泛音振荡或基波。振荡开始代替。在2520无源晶振基本谐振的情况下(MHz频段)反馈电阻通常是1米?。在泛音谐振器(兆赫频带)的情况下,值取决于IC和频率特性,但在几个范围内。K?-?几十K。在音叉式谐振器的案例(kHz频段),需要连接一个电阻10米或更?。限制流入谐振器的电流,调节负电阻和励磁。电平,防止谐振腔的反常振荡,抑制频率波动。C1、C2电容器调节负电阻、励磁电平和振荡频率。还设置有给定负载能力。
适当的控制电阻值(RD)取决于谐振器的类型,频带和设备的价值。电容器(C1,C2)。精确值是通过移动设备晶振测量振荡电路的特性来确定的(包括负电阻和驱动级)。AT切割谐振器(兆赫频带)的参考值在几个范围内。?几K?。音叉式谐振器(kHz频段)的参考值在100 K?几K?范围。安装电容器的适当值取决于谐振器的类型、频带、控制电阻器的值和振荡的顺序,在3 pF的范围内- 33 pF左右,仅供参考。
负载电容:如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致智能手机晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示电路的杂散电容。
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