IDT晶振,进口压控晶振,8N4SV75晶振
频率:15.476MHz~866.67MHz
尺寸:7.0*5.0*1.65mm
在IDT,我们认为作为一个行业领导者,我们在解决我们星球上一些最伟大的社会和环境挑战方面发挥了关键作用。IDT致力于通过网站运营和产品开发,持续改进作为一个全球性的组织。IDT的集成电路用于世界各地的通信、计算和消费行业。IDT晶振总部位于加州圣何塞市,在世界各地都设有设计、运营和销售设施。
IDT为高性能的网络通信应用提供了广泛的解决方案。IDT领先的串行RapidIO®,PCI Express®,电源管理,和先进的时机解决方案包括网络同步产品超越竞争,使客户开发最先进的系统。汽车占每年全球主要能源消耗的16%。IDT的产品可以通过节能创新来帮助减少这种消费。我们的智能传感器接口和传感器信号调节器有助于提高燃料效率和减少碳排放。LVDS可编程压控晶振,7050mm有源晶体,8N4SV75晶振
IDT晶振,进口压控晶振,8N4SV75晶振.是一款具有非常灵活的频率和拉范围编程功能的LVDS可编程频率VCXO。 该器件采用IDT的第四代FemtoClock®NG技术,以实现高时钟频率和低相位噪声性能。该器件接受2.5V或3.3V电源,并封装在小型无铅(RoHS 6)6引脚陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封装中。器件可以工厂编程到15.476范围内的任何频率 MHz至866.67MHz,从975MHz至1300MHz,频率精度达到218Hz以上的非常高的程度。 扩展的温度范围支持无线基础设施,电信和网络终端设备要求。
IDT晶振 |
标示 |
8N4SV75晶振 |
晶振基本信息对照表 |
标准范围 |
f0 |
15.476MHz~866.67MHz |
|
電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+2.8V、+3.3V |
|
输出电流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
频率负载 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS 出力 |
标准频率偏差 |
f_tol |
±10×10-6 max.
|
初期偏差、 |
输出电压 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
|
对称 |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
标准时间 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
超声波清洗
(1)使用AT-切割晶体和表面声波(SAW)谐振器/声表面滤波器的产品,可以通过超声波进行清洗。但是,在某些条件下, 晶体特性可能会受到影响,而且内部线路可能受到损坏。确保已事先检查系统的适用性。LVDS可编程压控晶振,7050mm有源晶体,8N4SV75晶振
(2)使用音叉晶体和陀螺仪传感器的产品无法确保能够通过超声波方法进行清洗,因为晶体可能受到破坏。
(3)请勿清洗开启式产品
(4)对于可清洗产品,应避免使用可能对石英水晶谐振器产生负面影响的清洗剂或溶剂等。
(5)焊料助焊剂的残留会吸收水分并凝固。这会引起诸如位移等其它现象。这将会负面影响晶振的可靠性和质量。请清理残余的助焊剂并烘干PCB。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。IDT晶振,进口压控晶振,8N4SV75晶振
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用耐高温晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。
振荡电路的检查方法
振荡频率测量
必须尽可能地测量安装在电路上的可编程有源晶振的振荡频率的真实值,
使用正确的方法。在振荡频率的测量中,通常使用探头和频率计数器。然而,
我们的目标是通过限制测量工具对振荡电路本身的影响来测量。
有三种频率测量模式,如下面的图所示(图)。2, 3和4)。最
精确的测量方法是通过使用任何能够精确测量的频谱分析仪来实现的。
接触振荡电路。IDT晶振,进口压控晶振,8N4SV75晶振
探针不影响图2,因为缓冲器的输出是通过输入振荡电路的输出来测量的。
逆变器进入下一阶段。
探针不影响图3,因为在IC上测量缓冲器输出(1/1、1/2等)。
图4示出了来自ic的无缓冲器输出接收的情况,由此通过小尺寸测量来最小化探针的效果。
输出点之间的电容(3 pF以下XTAL终端IC)和探针。
然而,应该注意到,使用这种方法7050大体积晶振输出波形较小,测量不能依赖于
即使示波器能检查振荡波形,频率计数器的灵敏度也可以。在这种情况下,使用放大器来测量。
此外,低相位压控振荡器振荡频率与测量点不同。
1。测量缓冲输出
2。振荡级输出测量
三.通过电容器测量振荡级输出
图5示出以上1-3个测量点和所测量的
除缓冲器输出外,振荡频率较低。LVDS可编程压控晶振,7050mm有源晶体,8N4SV75晶振
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